- Артикул: 00405882
- Количество в упаковке: 30
- Стандартная упаковка: Пенал
IHW30N120R5XKSA1 Infineon
Краткое описание
Спецификация
IGBT транзистор 1200В, 30А, 8~60кГц, 2.0В, TO-247AC
Производитель
Infineon
Код товара производителя
IHW30N120R5XKSA1
Наименование класса номенклатуры
IGBT транзистор
OPN
SP001607184
Основные характеристики
V ce
(напряжение коллектор-эмиттер)
1200 В
I c
(постоянный ток коллектора)
30 А
f раб.
(рабочая частота)
8~60кГц
V CE(on)
(напряжение коллектор-эмиттер открытого транзистора)
2.0 В
Диапазон рабочих температур
-40°C~175°C
Размеры
Корпус
TO-247AC
Упаковка
Упаковка
(стандартная)
Пенал
Количество в упаковке
30
Документация и файлы для загрузки
раскрыть всеDatasheets (2)
pdf
1.41 МБ
pdf
1.41 МБ
IGBT транзистор IHW30N120R5XKSA1, производителя Infineon
Ключевые параметры компонента IHW30N120R5XKSA1: V ce: 1200 В; I c: 30 А; f раб.: 8~60кГц; V CE(on): 2.0 В; Корпус: TO-247AC.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.
Ключевые параметры компонента IHW30N120R5XKSA1: V ce: 1200 В; I c: 30 А; f раб.: 8~60кГц; V CE(on): 2.0 В; Корпус: TO-247AC.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.