- Артикул: 00401555
- Количество в упаковке: 8
IKP28N65ES5XKSA1 Infineon
Краткое описание
Спецификация
IGBT транзистор 650В, 28А, 10~30 кГц, 1.59В, TO-220AB
Производитель
Infineon
Код товара производителя
IKP28N65ES5XKSA1
Наименование класса номенклатуры
IGBT транзистор
OPN
SP002655502
Основные характеристики
V ce
(напряжение коллектор-эмиттер)
650 В
I c
(постоянный ток коллектора)
28 А
f раб.
(рабочая частота)
10~30 кГц
V CE(on)
(напряжение коллектор-эмиттер открытого транзистора)
1.59 В
Диапазон рабочих температур
-40°C~175°C
Размеры
Корпус
TO-220AB
Упаковка
Количество в упаковке
8
Документация и файлы для загрузки
раскрыть всеDatasheets (1)
pdf
1.97 МБ
IGBT транзистор IKP28N65ES5XKSA1, производителя Infineon
Ключевые параметры компонента IKP28N65ES5XKSA1: V ce: 650 В; I c: 28 А; f раб.: 10~30 кГц; V CE(on): 1.59 В; Корпус: TO-220AB.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.
Ключевые параметры компонента IKP28N65ES5XKSA1: V ce: 650 В; I c: 28 А; f раб.: 10~30 кГц; V CE(on): 1.59 В; Корпус: TO-220AB.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.