- Артикул: 00201174
- Количество в упаковке: 25
- Стандартная упаковка: Пенал
IRG4PF50WDPBF Infineon
Краткое описание
Спецификация
IGBT транзистор 1200В, 21А, 20~100 кГц, 2.5В, TO-247AC
Производитель
Infineon
Код товара производителя
IRG4PF50WDPBF
Наименование класса номенклатуры
IGBT транзистор
OPN
SP001547862
Основные характеристики
V ce
(напряжение коллектор-эмиттер)
1200 В
I c
(постоянный ток коллектора)
21 А
f раб.
(рабочая частота)
20~100 кГц
V CE(on)
(напряжение коллектор-эмиттер открытого транзистора)
2.5 В
Диапазон рабочих температур
-55°C~150°C
Размеры
Корпус
TO-247AC
Упаковка
Упаковка
(стандартная)
Пенал
Количество в упаковке
25
Документация и файлы для загрузки
раскрыть всеDatasheets (2)
pdf
633.81 КБ
pdf
633.81 КБ
IGBT транзистор IRG4PF50WDPBF, производителя Infineon
Ключевые параметры компонента IRG4PF50WDPBF: V ce: 1200 В; I c: 21 А; f раб.: 20~100 кГц; V CE(on): 2.5 В; Корпус: TO-247AC.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.
Ключевые параметры компонента IRG4PF50WDPBF: V ce: 1200 В; I c: 21 А; f раб.: 20~100 кГц; V CE(on): 2.5 В; Корпус: TO-247AC.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.