- Артикул: 00201372
- Количество в упаковке: 25
- Стандартная упаковка: Пенал
IRGP50B60PD1PBF Infineon
Краткое описание
Спецификация
IGBT транзистор IRGP50B60PD1PBF SP001534060 IRF
Производитель
Infineon
Код товара производителя
IRGP50B60PD1PBF
Наименование класса номенклатуры
IGBT транзистор
OPN
SP001534060
Основные характеристики
V ce
(напряжение коллектор-эмиттер)
600 В
I c
(постоянный ток коллектора)
33 А
V CE(sat)
(напряжение насыщения «коллектор–эмиттер»)
2.0 В
Размеры
Корпус
TO-247AC
Сертификаты
Соответствие ROHS
Да
Упаковка
Упаковка
(стандартная)
Пенал
Количество в упаковке
25
Документация и файлы для загрузки
раскрыть всеDatasheets (1)
Datasheet IRGP50B60PD1PBF Infineon
Английский язык
pdf
416.69 КБ
IGBT транзистор IRGP50B60PD1PBF, производителя Infineon
Ключевые параметры компонента IRGP50B60PD1PBF: V ce: 600 В; I c: 33 А; V CE(sat): 2 В; Корпус: TO-247AC.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.
Ключевые параметры компонента IRGP50B60PD1PBF: V ce: 600 В; I c: 33 А; V CE(sat): 2 В; Корпус: TO-247AC.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.