- Артикул: 00382257
- Количество в упаковке: 1
- Стандартная упаковка: Паллета
IRG4RC10SDTRPBF Infineon
Краткое описание
Спецификация
IGBT транзистор 600В, 8А, 1~1кГц, 1.5В, DPak (TO-252)
Производитель
Infineon
Код товара производителя
IRG4RC10SDTRPBF
Наименование класса номенклатуры
IGBT транзистор
OPN
SP001542118
Основные характеристики
V ce
(напряжение коллектор-эмиттер)
600 В
I c
(постоянный ток коллектора)
8 А
f раб.
(рабочая частота)
1~1кГц
V CE(on)
(напряжение коллектор-эмиттер открытого транзистора)
1.5 В
Диапазон рабочих температур
-55°C~150°C
Размеры
Корпус
DPak (TO-252)
Упаковка
Упаковка
(стандартная)
Паллета
Количество в упаковке
1
Документация и файлы для загрузки
раскрыть всеDatasheets (1)
pdf
348.27 КБ
IGBT транзистор IRG4RC10SDTRPBF, производителя Infineon
Ключевые параметры компонента IRG4RC10SDTRPBF: V ce: 600 В; I c: 8 А; f раб.: 1~1кГц; V CE(on): 1.5 В; Корпус: DPak (TO-252).
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.
Ключевые параметры компонента IRG4RC10SDTRPBF: V ce: 600 В; I c: 8 А; f раб.: 1~1кГц; V CE(on): 1.5 В; Корпус: DPak (TO-252).
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.