- Артикул: 00382258
- Количество в упаковке: 1
- Стандартная упаковка: Паллета
IRGB10B60KDPBF Infineon
Краткое описание
Спецификация
IGBT транзистор 600В, 19А, 8~30кГц, 1.3В, TO-220AB
Производитель
Infineon
Код товара производителя
IRGB10B60KDPBF
Наименование класса номенклатуры
IGBT транзистор
OPN
SP001542270
Основные характеристики
V ce
(напряжение коллектор-эмиттер)
600 В
I c
(постоянный ток коллектора)
19 А
f раб.
(рабочая частота)
8~30кГц
V CE(on)
(напряжение коллектор-эмиттер открытого транзистора)
1.3 В
Диапазон рабочих температур
-55°C~150°C
Размеры
Корпус
TO-220AB
Упаковка
Упаковка
(стандартная)
Паллета
Количество в упаковке
1
Документация и файлы для загрузки
раскрыть всеDatasheets (2)
pdf
304.08 КБ
pdf
304.08 КБ
IGBT транзистор IRGB10B60KDPBF, производителя Infineon
Ключевые параметры компонента IRGB10B60KDPBF: V ce: 600 В; I c: 19 А; f раб.: 8~30кГц; V CE(on): 1.3 В; Корпус: TO-220AB.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.
Ключевые параметры компонента IRGB10B60KDPBF: V ce: 600 В; I c: 19 А; f раб.: 8~30кГц; V CE(on): 1.3 В; Корпус: TO-220AB.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.