- Артикул: 00382624
- Количество в упаковке: 50
- Стандартная упаковка: Пенал
IRGS6B60KDPBF Infineon
Краткое описание
Спецификация
IGBT транзистор 600В, 7А, 8~30кГц, 1.25В, D2Pak (TO-263)
Производитель
Infineon
Код товара производителя
IRGS6B60KDPBF
Наименование класса номенклатуры
IGBT транзистор
OPN
SP001542298
Основные характеристики
V ce
(напряжение коллектор-эмиттер)
600 В
I c
(постоянный ток коллектора)
7 А
f раб.
(рабочая частота)
8~30кГц
V CE(on)
(напряжение коллектор-эмиттер открытого транзистора)
1.25 В
Диапазон рабочих температур
-55°C~150°C
Размеры
Корпус
D2Pak (TO-263)
Упаковка
Упаковка
(стандартная)
Пенал
Количество в упаковке
50
Документация и файлы для загрузки
раскрыть всеDatasheets (1)
pdf
310.48 КБ
IGBT транзистор IRGS6B60KDPBF, производителя Infineon
Ключевые параметры компонента IRGS6B60KDPBF: V ce: 600 В; I c: 7 А; f раб.: 8~30кГц; V CE(on): 1.25 В; Корпус: D2Pak (TO-263).
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.
Ключевые параметры компонента IRGS6B60KDPBF: V ce: 600 В; I c: 7 А; f раб.: 8~30кГц; V CE(on): 1.25 В; Корпус: D2Pak (TO-263).
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.