- Артикул: 00382623
- Количество в упаковке: 50
- Стандартная упаковка: Пенал
IRGSL4062DPBF Infineon
Краткое описание
Спецификация
IGBT транзистор 600В, 24А, 8~30кГц, 1.8В, TO262
Производитель
Infineon
Код товара производителя
IRGSL4062DPBF
Наименование класса номенклатуры
IGBT транзистор
OPN
SP001535892
Основные характеристики
V ce
(напряжение коллектор-эмиттер)
600 В
I c
(постоянный ток коллектора)
24 А
f раб.
(рабочая частота)
8~30кГц
V CE(on)
(напряжение коллектор-эмиттер открытого транзистора)
1.8 В
Диапазон рабочих температур
-55°C~175°C
Размеры
Корпус
TO262
Упаковка
Упаковка
(стандартная)
Пенал
Количество в упаковке
50
Документация и файлы для загрузки
раскрыть всеDatasheets (1)
pdf
459.75 КБ
IGBT транзистор IRGSL4062DPBF, производителя Infineon
Ключевые параметры компонента IRGSL4062DPBF: V ce: 600 В; I c: 24 А; f раб.: 8~30кГц; V CE(on): 1.8 В; Корпус: TO262.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.
Ключевые параметры компонента IRGSL4062DPBF: V ce: 600 В; I c: 24 А; f раб.: 8~30кГц; V CE(on): 1.8 В; Корпус: TO262.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.