- Артикул: 00455903
RSG50N65HW Reasunos
Краткое описание
Код товара у производителя: RSG50N65HW
Производитель: Reasunos
Спецификация
IGBT транзистор RSG50N65HW RST
Производитель
Reasunos
Код товара производителя
RSG50N65HW
Наименование класса номенклатуры
IGBT транзистор
Основные характеристики
V ce
(напряжение коллектор-эмиттер)
650 В
I c
(постоянный ток коллектора)
50 А
V CE(sat)
(напряжение насыщения «коллектор–эмиттер»)
1.58 В
Размеры
Корпус
TO-247
Документация и файлы для загрузки
раскрыть всеDatasheets (1)
Datasheet RSG50N65HW Reasunos
Английский язык
pdf
853.3 КБ
RSG50N65HW Reasunos
Аналоги
| SuncoYJ | DGW75N65CTS2A SuncoYJ, IGBT транзисторы силовые, V ce: 650 В; I c: 75 А; V CE(sat): 1.45 В; Корпус: TO-247 | В наличии | 152.26 руб./шт. |
|
DGW75N65CTS2A SuncoYJ
Полная карточка товара
DGW75N65CTS2A SuncoYJ, IGBT транзисторы силовые, V ce: 650 В; I c: 75 А; V CE(sat): 1.45 В; Корпус: TO-247
Добавить в избранное
В наличии 1323 Штуки
3000 Штук в Пенале
от 1 шт.
152.26 руб./шт.
|
|||
IGBT транзистор RSG50N65HW, производителя Reasunos
Ключевые параметры компонента RSG50N65HW: V ce: 650 В; I c: 50 А; V CE(sat): 1.58 В; Корпус: TO-247.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Reasunos в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.
Ключевые параметры компонента RSG50N65HW: V ce: 650 В; I c: 50 А; V CE(sat): 1.58 В; Корпус: TO-247.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Reasunos в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.