- Артикул: 00451910
- Количество в упаковке: 3000
- Стандартная упаковка: Пенал
DGW75N65CTS2A SuncoYJ
Краткое описание
Код товара у производителя: DGW75N65CTS2A
Производитель: SuncoYJ
Спецификация
IGBT транзистор DGW75N65CTS2A YJ
Производитель
SuncoYJ
Код товара производителя
DGW75N65CTS2A
Наименование класса номенклатуры
IGBT транзистор
Основные характеристики
V ce
(напряжение коллектор-эмиттер)
650 В
I c
(постоянный ток коллектора)
75 А
V CE(sat)
(напряжение насыщения «коллектор–эмиттер»)
1.45 В
Размеры
Корпус
TO-247
Упаковка
Упаковка
(стандартная)
Пенал
Количество в упаковке
3000
DGW75N65CTS2A SuncoYJ
Аналоги
| DHG60N65D |
| NCE80TD65BT |
| IKW75N60H3FKSA1 |
| IKW50N65H5FKSA1 |
| IKW60N60H3FKSA1 |
| IKW75N65EL5XKSA1 |
| IKW75N65EH5XKSA1 |
| IKW75N65ES5XKSA1 |
| IKW75N60TFKSA1 |
| IKW75N65RH5XKSA1 |
| DGW60N65BTH |
| DGW75N65CTL1 |
| RSG75N65HW |
| NCE80TD60BT |
| RSG50N65HW |
| WXDH Electronics | DHG60N65D WXDH Electronics, IGBT транзисторы силовые, V ce: 650 В; I c: 60 А; V CE(sat): 1.85 В; Корпус: TO-247 | В наличии | 120.94 руб./шт. |
|
DHG60N65D WXDH Electronics
Полная карточка товара
DHG60N65D WXDH Electronics, IGBT транзисторы силовые, V ce: 650 В; I c: 60 А; V CE(sat): 1.85 В; Корпус: TO-247
Добавить в избранное
В наличии 92 Штуки
2000 Штук в Коробке
от 1 шт.
158.89 руб./шт.
от 50 шт.
140.13 руб./шт.
от 240 шт.
120.94 руб./шт.
|
|||
| NCEPOWER | NCE80TD65BT NCEPOWER, IGBT транзисторы силовые, V ce: 650 В; I c: 80 А; V CE(sat): 6.0 В; Корпус: TO-247 | В наличии | 409.13 руб./шт. |
|
NCE80TD65BT NCEPOWER
Полная карточка товара
NCE80TD65BT NCEPOWER, IGBT транзисторы силовые, V ce: 650 В; I c: 80 А; V CE(sat): 6.0 В; Корпус: TO-247
Добавить в избранное
В наличии 22 Штуки
30 Штук в Пенале
от 1 шт.
409.13 руб./шт.
|
|||
| Infineon | IKW75N60H3FKSA1 Infineon, IGBT транзисторы силовые, V ce: 600 В; I c: 75 А; f раб.: 20~100 кГц; V CE(sat): 1.65 В; Корпус: TO-247AC | Под заказ | - |
|
IKW75N60H3FKSA1 Infineon
Полная карточка товара
IKW75N60H3FKSA1 Infineon, IGBT транзисторы силовые, V ce: 600 В; I c: 75 А; f раб.: 20~100 кГц; V CE(sat): 1.65 В; Корпус: TO-247AC
Добавить в избранное
Под заказ
30 Штук в Пенале
|
|||
| Infineon | IKW50N65H5FKSA1 Infineon, IGBT транзисторы силовые, V ce: 650 В; I c: 56 А; f раб.: 30~100 кГц; V CE(sat): 1.45 В; Корпус: TO-247AC | Под заказ | - |
|
IKW50N65H5FKSA1 Infineon
Полная карточка товара
IKW50N65H5FKSA1 Infineon, IGBT транзисторы силовые, V ce: 650 В; I c: 56 А; f раб.: 30~100 кГц; V CE(sat): 1.45 В; Корпус: TO-247AC
Добавить в избранное
Под заказ
240 Штук в Коробке
|
|||
| Infineon | IKW60N60H3FKSA1 Infineon, IGBT транзисторы силовые, V ce: 600 В; I c: 60 А; f раб.: 20~100 кГц; V CE(sat): 1.65 В; Корпус: TO-247AC | Под заказ | - |
|
IKW60N60H3FKSA1 Infineon
Полная карточка товара
IKW60N60H3FKSA1 Infineon, IGBT транзисторы силовые, V ce: 600 В; I c: 60 А; f раб.: 20~100 кГц; V CE(sat): 1.65 В; Корпус: TO-247AC
Добавить в избранное
Под заказ
30 Штук в Пенале
|
|||
| Infineon | IKW75N65EL5XKSA1 Infineon, IGBT транзисторы силовые, V ce: 650 В; I c: 80 А; f раб.: 50~20 кГц; V CE(sat): 1.4 В; Корпус: TO-247AC | Под заказ | - |
|
IKW75N65EL5XKSA1 Infineon
Полная карточка товара
IKW75N65EL5XKSA1 Infineon, IGBT транзисторы силовые, V ce: 650 В; I c: 80 А; f раб.: 50~20 кГц; V CE(sat): 1.4 В; Корпус: TO-247AC
Добавить в избранное
Под заказ
30 Штук в Пенале
|
|||
| Infineon | IKW75N65EH5XKSA1 Infineon, IGBT транзисторы силовые, V ce: 650 В; I c: 75 А; f раб.: 30~100 кГц; V CE(sat): 1.35 В; Корпус: TO-247AC | Под заказ | - |
|
IKW75N65EH5XKSA1 Infineon
Полная карточка товара
IKW75N65EH5XKSA1 Infineon, IGBT транзисторы силовые, V ce: 650 В; I c: 75 А; f раб.: 30~100 кГц; V CE(sat): 1.35 В; Корпус: TO-247AC
Добавить в избранное
Под заказ
240 Штук в Россыпи
|
|||
| Infineon | IKW75N65ES5XKSA1 Infineon, IGBT транзисторы силовые, V ce: 650 В; I c: 80 А; f раб.: 10~30 кГц; V CE(sat): 1.5 В; Корпус: TO-247AC | Под заказ | - |
|
IKW75N65ES5XKSA1 Infineon
Полная карточка товара
IKW75N65ES5XKSA1 Infineon, IGBT транзисторы силовые, V ce: 650 В; I c: 80 А; f раб.: 10~30 кГц; V CE(sat): 1.5 В; Корпус: TO-247AC
Добавить в избранное
Под заказ
1 Штука в Паллете
|
|||
| Infineon | IKW75N60TFKSA1 Infineon, IGBT транзисторы силовые, V ce: 600 В; I c: 80 А; V CE(sat): 2 В; Корпус: TO-247-3 | Под заказ | 0 руб./шт. |
|
IKW75N60TFKSA1 Infineon
Полная карточка товара
IKW75N60TFKSA1 Infineon, IGBT транзисторы силовые, V ce: 600 В; I c: 80 А; V CE(sat): 2 В; Корпус: TO-247-3
Добавить в избранное
Под заказ
240 Штук в Пенале
|
|||
| Infineon | IKW75N65RH5XKSA1 Infineon, IGBT транзисторы силовые, V ce: 650 В; I c: 75 А; f раб.: TRENCHSTOP™ 5 ( 40 - 100 кГц ); V CE(sat): 1.65 В; Корпус: TO-247 | Под заказ | 0 руб./шт. |
|
IKW75N65RH5XKSA1 Infineon
Полная карточка товара
IKW75N65RH5XKSA1 Infineon, IGBT транзисторы силовые, V ce: 650 В; I c: 75 А; f раб.: TRENCHSTOP™ 5 ( 40 - 100 кГц ); V CE(sat): 1.65 В; Корпус: TO-247
Добавить в избранное
Под заказ
Поштучная продажа
|
|||
| SuncoYJ | DGW60N65BTH SuncoYJ, IGBT транзисторы силовые, V ce: 650 В; I c: 65 А; V CE(sat): 2.1 В; Корпус: TO-247 | Под заказ | 188.73 руб./шт. |
|
DGW60N65BTH SuncoYJ
Полная карточка товара
DGW60N65BTH SuncoYJ, IGBT транзисторы силовые, V ce: 650 В; I c: 65 А; V CE(sat): 2.1 В; Корпус: TO-247
Добавить в избранное
Под заказ
30 Штук в Пенале
от 1 шт.
188.73 руб./шт.
|
|||
| SuncoYJ | DGW75N65CTL1 SuncoYJ, IGBT транзисторы силовые, V ce: 650 В; I c: 75 А; V CE(sat): 1.65 В; Корпус: TO-247 | Под заказ | - |
|
DGW75N65CTL1 SuncoYJ
Полная карточка товара
DGW75N65CTL1 SuncoYJ, IGBT транзисторы силовые, V ce: 650 В; I c: 75 А; V CE(sat): 1.65 В; Корпус: TO-247
Добавить в избранное
Под заказ
30 Штук в Пенале
|
|||
| Reasunos | RSG75N65HW Reasunos, IGBT транзисторы силовые, | Под заказ | - |
|
RSG75N65HW Reasunos
Под заказ
1 Штука в Пенале
|
|||
| NCEPOWER | NCE80TD60BT NCEPOWER, IGBT транзисторы силовые, V ce: 600 В; I c: 80 А; V CE(sat): 6.0 В; Корпус: TO-247 | Под заказ | - |
|
NCE80TD60BT NCEPOWER
Полная карточка товара
NCE80TD60BT NCEPOWER, IGBT транзисторы силовые, V ce: 600 В; I c: 80 А; V CE(sat): 6.0 В; Корпус: TO-247
Добавить в избранное
Под заказ
30 Штук в Паллете
|
|||
| Reasunos | RSG50N65HW Reasunos, IGBT транзисторы силовые, V ce: 650 В; I c: 50 А; V CE(sat): 1.58 В; Корпус: TO-247 | Под заказ | - |
|
RSG50N65HW Reasunos
Полная карточка товара
RSG50N65HW Reasunos, IGBT транзисторы силовые, V ce: 650 В; I c: 50 А; V CE(sat): 1.58 В; Корпус: TO-247
Добавить в избранное
Под заказ
Поштучная продажа
|
|||
IGBT транзистор DGW75N65CTS2A, производителя SuncoYJ
Ключевые параметры компонента DGW75N65CTS2A: V ce: 650 В; I c: 75 А; V CE(sat): 1.45 В; Корпус: TO-247.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя SuncoYJ в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.
Ключевые параметры компонента DGW75N65CTS2A: V ce: 650 В; I c: 75 А; V CE(sat): 1.45 В; Корпус: TO-247.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя SuncoYJ в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.