DGW75N65CTS2A SuncoYJ
Артикул
00451910
Производитель
Документы (Datasheet)
Спецификация:
IGBT транзистор DGW75N65CTS2A, производителя SuncoYJ
Ключевые параметры компонента DGW75N65CTS2A: V ce: 650 В; I c: 75 А; V CE(sat): 1.45 В; Корпус: TO-247.
Ключевые параметры компонента DGW75N65CTS2A: V ce: 650 В; I c: 75 А; V CE(sat): 1.45 В; Корпус: TO-247.
Читать подробнее
от 1 шт
177.31 руб./шт
от 177.31 руб.
/шт
Информация по сумме
Распродажа
Кол-во
Сумма
шт
В наличии
Кол-во
Сумма
шт
Отгрузка 2-3 дня
Кол-во
Сумма
шт
от 177.31/шт
Информация о ценах
Распродажа
Кол-во
Цена за ед.
В наличии
Кол-во
Цена за ед.
от 1 шт
177.31 руб. /шт
Отгрузка 2-3 дня
Кол-во
Цена за ед.
Производитель
Документы (Datasheet)
Спецификация:
IGBT транзистор DGW75N65CTS2A, производителя SuncoYJ
Ключевые параметры компонента DGW75N65CTS2A: V ce: 650 В; I c: 75 А; V CE(sat): 1.45 В; Корпус: TO-247.
Ключевые параметры компонента DGW75N65CTS2A: V ce: 650 В; I c: 75 А; V CE(sat): 1.45 В; Корпус: TO-247.
Читать подробнее
Основные характеристики
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя SuncoYJ в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя SuncoYJ в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.
Аналоги (15)
|
Код товара у производителя
|
Производитель
|
Описание
|
Наличие
|
Цена от
|
|
|---|---|---|---|---|---|
|
Код товара у производителя
DHG60N65D
|
Производитель
WXDH Electronics |
Описание
DHG60N65D WXDH Electronics, IGBT транзисторы силовые, V ce: 650 В; I c: 60 А; V CE(sat): 1.85 В; Корпус: TO-247 |
Наличие
55 шт
|
Цена от
142.09 /шт
|
|
|
В наличии
55 шт
от 1 шт
186.68 руб./шт
от 50 шт
164.65 руб./шт
от 240 шт
142.09 руб./шт
кратность
от 142.09
/шт
Информация по сумме
Распродажа
Кол-во
Сумма
шт
В наличии
Кол-во
Сумма
шт
Отгрузка 2-3 дня
Кол-во
Сумма
шт
от 142.09/шт
Информация о ценах
Распродажа
Кол-во
Цена за ед.
В наличии
Кол-во
Цена за ед.
от 240 шт
142.09 руб. /шт
от 50 шт
164.65 руб. /шт
от 1 шт
186.68 руб. /шт
Отгрузка 2-3 дня
Кол-во
Цена за ед.
|
|||||
|
Код товара у производителя
NCE80TD65BT
|
Производитель
NCEPOWER |
Описание
NCE80TD65BT NCEPOWER, IGBT транзисторы силовые, V ce: 650 В; I c: 80 А; V CE(sat): 6 В; Корпус: TO-247 |
Наличие
22 шт
|
Цена от
480.70 /шт
|
|
|
В наличии
22 шт
от 1 шт
480.70 руб./шт
кратность
от 480.70
/шт
Информация по сумме
Распродажа
Кол-во
Сумма
шт
В наличии
Кол-во
Сумма
шт
Отгрузка 2-3 дня
Кол-во
Сумма
шт
от 480.7/шт
Информация о ценах
Распродажа
Кол-во
Цена за ед.
В наличии
Кол-во
Цена за ед.
от 1 шт
480.70 руб. /шт
Отгрузка 2-3 дня
Кол-во
Цена за ед.
|
|||||
|
Код товара у производителя
IKW50N65H5FKSA1
|
Производитель
Infineon
|
Описание
IKW50N65H5FKSA1 Infineon, IGBT транзисторы силовые, V ce: 650 В; I c: 56 А; f раб.: 30~100 кГц; V CE(sat): 1.45 В; Корпус: TO-247AC |
Наличие
0 шт
|
Цена по запросу
|
|
IKW50N65H5FKSA1 Infineon
В упаковке:
240
Тип упаковки:
Коробка
В наличии
0 шт
Цена по запросу
Цена по запросу
|
|||||
|
Код товара у производителя
IKW60N60H3FKSA1
|
Производитель
Infineon
|
Описание
IKW60N60H3FKSA1 Infineon, IGBT транзисторы силовые, V ce: 600 В; I c: 60 А; f раб.: 20~100 кГц; V CE(sat): 1.65 В; Корпус: TO-247AC |
Наличие
0 шт
|
Цена по запросу
|
|
|
В наличии
0 шт
Цена по запросу
Цена по запросу
|
|||||
|
Код товара у производителя
IKW75N65EL5XKSA1
|
Производитель
Infineon
|
Описание
IKW75N65EL5XKSA1 Infineon, IGBT транзисторы силовые, V ce: 650 В; I c: 80 А; f раб.: 50~20 кГц; V CE(sat): 1.4 В; Корпус: TO-247AC |
Наличие
0 шт
|
Цена по запросу
|
|
|
В наличии
0 шт
Цена по запросу
Цена по запросу
|
|||||
|
Код товара у производителя
IKW75N65EH5XKSA1
|
Производитель
Infineon
|
Описание
IKW75N65EH5XKSA1 Infineon, IGBT транзисторы силовые, V ce: 650 В; I c: 75 А; f раб.: 30~100 кГц; V CE(sat): 1.35 В; Корпус: TO-247AC |
Наличие
0 шт
|
Цена по запросу
|
|
|
IKW75N65EH5XKSA1 Infineon
В упаковке:
240
Тип упаковки:
Россыпь
В наличии
0 шт
Цена по запросу
Цена по запросу
|
|||||
|
Код товара у производителя
IKW75N60H3FKSA1
|
Производитель
Infineon
|
Описание
IKW75N60H3FKSA1 Infineon, IGBT транзисторы силовые, V ce: 600 В; I c: 75 А; f раб.: 20~100 кГц; V CE(sat): 1.65 В; Корпус: TO-247AC |
Наличие
0 шт
|
Цена по запросу
|
|
|
IKW75N60H3FKSA1 Infineon
В упаковке:
30
Тип упаковки:
Пенал
В наличии
0 шт
Цена по запросу
Цена по запросу
|
|||||
|
Код товара у производителя
IKW75N65ES5XKSA1
|
Производитель
Infineon
|
Описание
IKW75N65ES5XKSA1 Infineon, IGBT транзисторы силовые, V ce: 650 В; I c: 80 А; f раб.: 10~30 кГц; V CE(sat): 1.5 В; Корпус: TO-247AC |
Наличие
0 шт
|
Цена по запросу
|
|
|
В наличии
0 шт
Цена по запросу
Цена по запросу
|
|||||
|
Код товара у производителя
IKW75N60TFKSA1
|
Производитель
Infineon
|
Описание
IKW75N60TFKSA1 Infineon, IGBT транзисторы силовые, V ce: 600 В; I c: 80 А; V CE(sat): 2 В; Корпус: TO-247-3 |
Наличие
0 шт
|
Цена от
Цена по запросу
|
|
|
В наличии
0 шт
Цена по запросу
Цена по запросу
|
|||||
|
Код товара у производителя
IKW75N65RH5XKSA1
|
Производитель
Infineon
|
Описание
IKW75N65RH5XKSA1 Infineon, IGBT транзисторы силовые, V ce: 650 В; I c: 75 А; f раб.: TRENCHSTOP™ 5 ( 40 - 100 кГц ); V CE(sat): 1.65 В; Корпус: TO-247 |
Наличие
0 шт
|
Цена от
Цена по запросу
|
|
IKW75N65RH5XKSA1 Infineon
В упаковке:
0
В наличии
0 шт
Цена по запросу
Цена по запросу
|
|||||
|
Код товара у производителя
NCE80TD60BT
|
Производитель
NCEPOWER |
Описание
NCE80TD60BT NCEPOWER, IGBT транзисторы силовые, V ce: 600 В; I c: 80 А; V CE(sat): 6.0 В; Корпус: TO-247 |
Наличие
0 шт
|
Цена по запросу
|
|
|
В наличии
0 шт
Цена по запросу
Цена по запросу
|
|||||
|
Код товара у производителя
RSG75N65HW
|
Производитель
Reasunos
|
Описание
RSG75N65HW Reasunos, IGBT транзисторы силовые, |
Наличие
0 шт
|
Цена по запросу
|
|
|
RSG75N65HW Reasunos
В упаковке:
1
Тип упаковки:
Пенал
В наличии
0 шт
Цена по запросу
Цена по запросу
|
|||||
|
Код товара у производителя
DGW60N65BTH
|
Производитель
SuncoYJ
|
Описание
DGW60N65BTH SuncoYJ, IGBT транзисторы силовые, V ce: 650 В; I c: 65 А; V CE(sat): 2.1 В; Корпус: TO-247 |
Наличие
0 шт
|
Цена от
221.76 /шт
|
|
|
В наличии
0 шт
от 1 шт
221.76 руб./шт
от 221.76
/шт
Информация по сумме
Распродажа
Кол-во
Сумма
шт
В наличии
Кол-во
Сумма
шт
Отгрузка 2-3 дня
Кол-во
Сумма
шт
от 221.76/шт
Информация о ценах
Распродажа
Кол-во
Цена за ед.
В наличии
Кол-во
Цена за ед.
от 1 шт
221.76 руб. /шт
Отгрузка 2-3 дня
Кол-во
Цена за ед.
|
|||||
|
Код товара у производителя
DGW75N65CTL1
|
Производитель
SuncoYJ
|
Описание
DGW75N65CTL1 SuncoYJ, IGBT транзисторы силовые, V ce: 650 В; I c: 75 А; V CE(sat): 1.65 В; Корпус: TO-247 |
Наличие
0 шт
|
Цена по запросу
|
|
|
В наличии
0 шт
Цена по запросу
Цена по запросу
|
|||||
|
Код товара у производителя
RSG50N65HW
|
Производитель
Reasunos
|
Описание
RSG50N65HW Reasunos, IGBT транзисторы силовые, V ce: 650 В; I c: 50 А; V CE(sat): 1.58 В; Корпус: TO-247 |
Наличие
0 шт
|
Цена по запросу
|
|
RSG50N65HW Reasunos
В упаковке:
0
В наличии
0 шт
Цена по запросу
Цена по запросу
|
|||||
