- Артикул: 00288824
- Количество в упаковке: 240
- Стандартная упаковка: Коробка
IKW50N65H5FKSA1 Infineon
Краткое описание
Спецификация
650V breakthrough voltage
Compared to Infineon’s best-in-class HighSpeed 3 family
Factor 2.5 lower Q g
Factor 2 reduction in switching losses
200mV reduction in V CE(sat)
Co-packed with Infineon’s new Rapid Si-diode technology
Low C OES/E OSS
Mild positive temperature coefficient V CE(sat)
Temperature stability of V f
IGBT транзистор IKW50N65H5 SP001001734 INF
IGBT транзистор 650В, 56А, 30~100кГц, 1.45В, TO-247AC
Compared to Infineon’s best-in-class HighSpeed 3 family
Factor 2.5 lower Q g
Factor 2 reduction in switching losses
200mV reduction in V CE(sat)
Co-packed with Infineon’s new Rapid Si-diode technology
Low C OES/E OSS
Mild positive temperature coefficient V CE(sat)
Temperature stability of V f
IGBT транзистор IKW50N65H5 SP001001734 INF
IGBT транзистор 650В, 56А, 30~100кГц, 1.45В, TO-247AC
Производитель
Infineon
Код товара производителя
IKW50N65H5FKSA1
Наименование класса номенклатуры
IGBT транзистор
OPN
SP001001734
Основные характеристики
V ce
(напряжение коллектор-эмиттер)
650 В
I c
(постоянный ток коллектора)
56 А
f раб.
(рабочая частота)
30~100 кГц
V CE(sat)
(напряжение насыщения «коллектор–эмиттер»)
1.45 В
Диапазон рабочих температур
-40°C~175°C
Размеры
Корпус
TO-247AC
Сертификаты
Соответствие ROHS
Да
Упаковка
Упаковка
(стандартная)
Коробка
Количество в упаковке
240
Документация и файлы для загрузки
раскрыть всеDatasheets (1)
pdf
2.2 МБ
IKW50N65H5FKSA1 Infineon
Аналоги
| SuncoYJ | DGW75N65CTS2A SuncoYJ, IGBT транзисторы силовые, V ce: 650 В; I c: 75 А; V CE(sat): 1.45 В; Корпус: TO-247 | В наличии | 149.77 руб./шт. |
|
DGW75N65CTS2A SuncoYJ
Полная карточка товара
DGW75N65CTS2A SuncoYJ, IGBT транзисторы силовые, V ce: 650 В; I c: 75 А; V CE(sat): 1.45 В; Корпус: TO-247
Добавить в избранное
В наличии 1323 Штуки
3000 Штук в Пенале
от 1 шт.
149.77 руб./шт.
|
|||
IGBT транзистор IKW50N65H5FKSA1, производителя Infineon
Ключевые параметры компонента IKW50N65H5FKSA1: V ce: 650 В; I c: 56 А; f раб.: 30~100 кГц; V CE(sat): 1.45 В; Корпус: TO-247AC.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.
Ключевые параметры компонента IKW50N65H5FKSA1: V ce: 650 В; I c: 56 А; f раб.: 30~100 кГц; V CE(sat): 1.45 В; Корпус: TO-247AC.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.