- Артикул: 00438272
- Количество в упаковке: 30
- Стандартная упаковка: Пенал
NCE80TD65BT NCEPOWER
Краткое описание
Код товара у производителя: NCE80TD65BT
Производитель: NCEPOWER
Спецификация
IGBT транзистор NCEPOWER
Код товара производителя
NCE80TD65BT
Наименование класса номенклатуры
IGBT транзистор
Основные характеристики
V ce
(напряжение коллектор-эмиттер)
650 В
I c
(постоянный ток коллектора)
80 А
V CE(sat)
(напряжение насыщения «коллектор–эмиттер»)
6.0 В
Размеры
Корпус
TO-247
Упаковка
Упаковка
(стандартная)
Пенал
Количество в упаковке
30
NCE80TD65BT NCEPOWER
Аналоги
| SuncoYJ | DGW75N65CTS2A SuncoYJ, IGBT транзисторы силовые, V ce: 650 В; I c: 75 А; V CE(sat): 1.45 В; Корпус: TO-247 | В наличии | 155.01 руб./шт. |
|
DGW75N65CTS2A SuncoYJ
Полная карточка товара
DGW75N65CTS2A SuncoYJ, IGBT транзисторы силовые, V ce: 650 В; I c: 75 А; V CE(sat): 1.45 В; Корпус: TO-247
Добавить в избранное
В наличии 1553 Штуки
3000 Штук в Пенале
от 1 шт.
155.01 руб./шт.
|
|||
IGBT транзистор NCE80TD65BT, производителя NCEPOWER
Ключевые параметры компонента NCE80TD65BT: V ce: 650 В; I c: 80 А; V CE(sat): 6.0 В; Корпус: TO-247.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя NCEPOWER в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.
Ключевые параметры компонента NCE80TD65BT: V ce: 650 В; I c: 80 А; V CE(sat): 6.0 В; Корпус: TO-247.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя NCEPOWER в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.