Global Power Technology | N-Channel | 1200 В | 80 мОм | 46 нКл | 40 А | TO-247 | Под заказ | 2 258.10 руб./шт. |
Карбид-кремниевые полевые (MOSFET) транзисторы
G1M080120BM Global Power Technology
Полная карточка товара
SiC транзистор G1M080120BM; Полярность: N-Channel; V(br)dss: 1200 В; Rds(on): 80 мОм; Qrr: 46 нКл; I d: 40 А; Корпус: TO-247
Добавить в избранное
Под заказ
10 Штук в Пенале
от 1 шт.
2 258.10 руб./шт.
|
- Назад
- 1
- Вперед
- на стр.