- Артикул: 00384587
- Количество в упаковке: 200
BSC026N08NS5ATMA1 Infineon
Краткое описание
Спецификация
Optimized for synchronous rectification
Ideal for high switching frequency
Output capacitance reduction of up to 44%
R DS(on) reduction of up to 44%
MOSFET транзистор N-Channel, 80В, 2.6 мОм, 74 нКл, SuperSO8
Ideal for high switching frequency
Output capacitance reduction of up to 44%
R DS(on) reduction of up to 44%
MOSFET транзистор N-Channel, 80В, 2.6 мОм, 74 нКл, SuperSO8
Производитель
Infineon
Код товара производителя
BSC026N08NS5ATMA1
Наименование класса номенклатуры
MOSFET транзистор
OPN
SP001154276
Основные характеристики
Полярность
N-Channel
V(br)dss
(напряжение сток-исток)
80 В
Rds(on)
(сопротивление канала)
2.6 мОм
Qg
(заряд затвора)
74 нКл
Тип монтажа
SMD/SMT
Диапазон рабочих температур
-55°C~150°C
Размеры
Корпус
Super-SO8
Упаковка
Количество в упаковке
200
MOSFET транзистор BSC026N08NS5ATMA1, производителя Infineon
Ключевые параметры компонента BSC026N08NS5ATMA1: Полярность: N-Channel; V(br)dss: 80 В; Rds(on): 2.6 мОм; Qg: 74 нКл; Корпус: Super-SO8.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.
Ключевые параметры компонента BSC026N08NS5ATMA1: Полярность: N-Channel; V(br)dss: 80 В; Rds(on): 2.6 мОм; Qg: 74 нКл; Корпус: Super-SO8.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.