- Артикул: 00384527
- Количество в упаковке: 50
BSC0901NSATMA1 Infineon
Краткое описание
Спецификация
Ultra low gate and output charge
Lowest on-state resistance in small footprint packages
Easy to design in
MOSFET транзистор N-Channel, 30В, 2 мОм, 22 нКл, SuperSO8
Lowest on-state resistance in small footprint packages
Easy to design in
MOSFET транзистор N-Channel, 30В, 2 мОм, 22 нКл, SuperSO8
Производитель
Infineon
Код товара производителя
BSC0901NSATMA1
Наименование класса номенклатуры
MOSFET транзистор
OPN
SP000800248
Основные характеристики
Полярность
N-Channel
V(br)dss
(напряжение сток-исток)
30 В
Rds(on)
(сопротивление канала)
2 мОм
Qg
(заряд затвора)
22 нКл
Тип монтажа
SMD/SMT
Диапазон рабочих температур
-55°C~150°C
Размеры
Корпус
SuperSO8
Упаковка
Количество в упаковке
50
MOSFET транзистор BSC0901NSATMA1, производителя Infineon
Ключевые параметры компонента BSC0901NSATMA1: Полярность: N-Channel; V(br)dss: 30 В; Rds(on): 2 мОм; Qg: 22 нКл; Корпус: SuperSO8.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.
Ключевые параметры компонента BSC0901NSATMA1: Полярность: N-Channel; V(br)dss: 30 В; Rds(on): 2 мОм; Qg: 22 нКл; Корпус: SuperSO8.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.