- Артикул: 00384423
- Количество в упаковке: 5000
- Стандартная упаковка: Катушка
BSC120N03LSGATMA1 Infineon
Краткое описание
Спецификация
Ultra low gate and output charge
Lowest on-state resistance in small footprint packages
Easy to design in
MOSFET транзистор N-Channel, 30В, 12 мОм, 5.4 нКл, SuperSO8
Lowest on-state resistance in small footprint packages
Easy to design in
MOSFET транзистор N-Channel, 30В, 12 мОм, 5.4 нКл, SuperSO8
Производитель
Infineon
Код товара производителя
BSC120N03LSGATMA1
Наименование класса номенклатуры
MOSFET транзистор
OPN
SP000302848
Основные характеристики
Полярность
N-Channel
V(br)dss
(напряжение сток-исток)
30 В
Rds(on)
(сопротивление канала)
12 мОм
Qg
(заряд затвора)
5,4 нКл
Тип монтажа
SMD/SMT
Диапазон рабочих температур
-55°C~150°C
Размеры
Корпус
SuperSO8
Упаковка
Упаковка
(стандартная)
Катушка
Количество в упаковке
5000
MOSFET транзистор BSC120N03LSGATMA1, производителя Infineon
Ключевые параметры компонента BSC120N03LSGATMA1: Полярность: N-Channel; V(br)dss: 30 В; Rds(on): 12 мОм; Qg: 5,4 нКл; Корпус: SuperSO8.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.
Ключевые параметры компонента BSC120N03LSGATMA1: Полярность: N-Channel; V(br)dss: 30 В; Rds(on): 12 мОм; Qg: 5,4 нКл; Корпус: SuperSO8.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.