- Артикул: 00383972
- Количество в упаковке: 2500
- Стандартная упаковка: Катушка
BSO150N03MDGXUMA1 Infineon
Краткое описание
Спецификация
Ultra low gate and output charge
Lowest on-state resistance in small footprint packages
Easy to design in
MOSFET транзистор N-Channel, 30В, 15 мОм, 6.1 нКл, SO-8
Lowest on-state resistance in small footprint packages
Easy to design in
MOSFET транзистор N-Channel, 30В, 15 мОм, 6.1 нКл, SO-8
Производитель
Infineon
Код товара производителя
BSO150N03MDGXUMA1
Наименование класса номенклатуры
MOSFET транзистор
OPN
SP000447476
Основные характеристики
Полярность
N-Channel
V(br)dss
(напряжение сток-исток)
30 В
Rds(on)
(сопротивление канала)
15 мОм
Qg
(заряд затвора)
6,1 нКл
Тип монтажа
SMD/SMT
Диапазон рабочих температур
-55°C~150°C
Размеры
Корпус
SO-8
Упаковка
Упаковка
(стандартная)
Катушка
Количество в упаковке
2500
Документация и файлы для загрузки
раскрыть всеDatasheets (1)
pdf
300.48 КБ
MOSFET транзистор BSO150N03MDGXUMA1, производителя Infineon
Ключевые параметры компонента BSO150N03MDGXUMA1: Полярность: N-Channel; V(br)dss: 30 В; Rds(on): 15 мОм; Qg: 6,1 нКл; Корпус: SO-8.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.
Ключевые параметры компонента BSO150N03MDGXUMA1: Полярность: N-Channel; V(br)dss: 30 В; Rds(on): 15 мОм; Qg: 6,1 нКл; Корпус: SO-8.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.