- Артикул: 00279611
- Количество в упаковке: 1
BSO200P03SHXUMA1 Infineon
Краткое описание
Спецификация
MOSFET транзистор BSO200P03S H SP000613850 INF
MOSFET транзистор P-Channel, -30В, 20 мОм, -40 нКл, -9.1А, SO-8
MOSFET транзистор P-Channel, -30В, 20 мОм, -40 нКл, -9.1А, SO-8
Производитель
Infineon
Код товара производителя
BSO200P03SHXUMA1
Наименование класса номенклатуры
MOSFET транзистор
OPN
SP000613850
Основные характеристики
Полярность
P-Channel
Rds(on)
(сопротивление канала)
20 мОм
Id
(ток стока)
-9.1 А
Тип монтажа
SMD/SMT
Диапазон рабочих температур
-55°C до +150°C
V(br)dss
(напряжение сток-исток)
-30 В
Qg
(заряд затвора)
-40 нКл
Размеры
Корпус
SO-8
Типоразмер
PG-DSO-8-37
Сертификаты
Соответствие ROHS
Да
Упаковка
Количество в упаковке
1
MOSFET транзистор BSO200P03SHXUMA1, производителя Infineon
Ключевые параметры компонента BSO200P03SHXUMA1: Полярность: P-Channel; Rds(on): 20 мОм; Id: -9.1 А; Корпус: SO-8.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.
Ключевые параметры компонента BSO200P03SHXUMA1: Полярность: P-Channel; Rds(on): 20 мОм; Id: -9.1 А; Корпус: SO-8.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.