- Артикул: 00364313
- Количество в упаковке: 300
BSZ018NE2LSATMA1 Infineon
Краткое описание
Спецификация
MOSFET транзистор N-Channel, 25В, 1.8 мОм, 39 нКл, PQFN 3.3 x 3.3
Производитель
Infineon
Код товара производителя
BSZ018NE2LSATMA1
Наименование класса номенклатуры
MOSFET транзистор
OPN
SP000756338
Основные характеристики
Полярность
N-Channel
V(br)dss
(напряжение сток-исток)
25 В
Rds(on)
(сопротивление канала)
1,8 мОм
Qg
(заряд затвора)
39 нКл
Тип монтажа
SMD/SMT
Диапазон рабочих температур
-55°C~150°C
Размеры
Корпус
PQFN 3.3 x 3.3
Упаковка
Количество в упаковке
300
MOSFET транзистор BSZ018NE2LSATMA1, производителя Infineon
Ключевые параметры компонента BSZ018NE2LSATMA1: Полярность: N-Channel; V(br)dss: 25 В; Rds(on): 1,8 мОм; Qg: 39 нКл; Корпус: PQFN 3.3 x 3.3.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.
Ключевые параметры компонента BSZ018NE2LSATMA1: Полярность: N-Channel; V(br)dss: 25 В; Rds(on): 1,8 мОм; Qg: 39 нКл; Корпус: PQFN 3.3 x 3.3.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.