- Артикул: 00384421
- Количество в упаковке: 5000
- Стандартная упаковка: Катушка
BSZ035N03LSGATMA1 Infineon
Краткое описание
Спецификация
Ultra low gate and output charge
Lowest on-state resistance in small footprint packages
Easy to design in
MOSFET транзистор N-Channel, 30В, 3.5 мОм, 20 нКл, PQFN 3.3 x 3.3
Lowest on-state resistance in small footprint packages
Easy to design in
MOSFET транзистор N-Channel, 30В, 3.5 мОм, 20 нКл, PQFN 3.3 x 3.3
Производитель
Infineon
Код товара производителя
BSZ035N03LSGATMA1
Наименование класса номенклатуры
MOSFET транзистор
OPN
SP000278809
Основные характеристики
Полярность
N-Channel
V(br)dss
(напряжение сток-исток)
30 В
Rds(on)
(сопротивление канала)
3,5 мОм
Qg
(заряд затвора)
20 нКл
Тип монтажа
SMD/SMT
Диапазон рабочих температур
-55°C~150°C
Размеры
Корпус
PQFN 3.3 x 3.3
Упаковка
Упаковка
(стандартная)
Катушка
Количество в упаковке
5000
MOSFET транзистор BSZ035N03LSGATMA1, производителя Infineon
Ключевые параметры компонента BSZ035N03LSGATMA1: Полярность: N-Channel; V(br)dss: 30 В; Rds(on): 3,5 мОм; Qg: 20 нКл; Корпус: PQFN 3.3 x 3.3.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.
Ключевые параметры компонента BSZ035N03LSGATMA1: Полярность: N-Channel; V(br)dss: 30 В; Rds(on): 3,5 мОм; Qg: 20 нКл; Корпус: PQFN 3.3 x 3.3.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.