Регистрация
Комплексные поставки электронных компонентов

BSZ120P03NS3EGATMA1 Infineon

Краткое описание

Код товара у производителя: BSZ120P03NS3EGATMA1 Производитель: Infineon OPN: SP000709730
BSZ120P03NS3EGATMA1 Infineon
  • Артикул: 00384509
  • Количество в упаковке: 5000
  • Стандартная упаковка: Катушка

Спецификация

Enhancement mode
Normal level, logic level or super logic level
Avalanche rated
Pb-free lead plating; RoHS compliant

MOSFET транзистор P-Channel, -30В, 12 мОм, 30 нКл, S3O8 (3x3mm style SuperSO8)
Производитель Infineon
Код товара производителя BSZ120P03NS3EGATMA1
Наименование класса номенклатуры MOSFET транзистор
OPN SP000709730
Основные характеристики
Полярность P-Channel
V(br)dss (напряжение сток-исток) -30 В
Rds(on) (сопротивление канала) 12 мОм
Qg (заряд затвора) 30 нКл
Тип монтажа SMD/SMT
Диапазон рабочих температур -55°C~150°C
Размеры
Корпус S3O8 (3x3mm style SuperSO8)
Упаковка
Упаковка (стандартная) Катушка
Количество в упаковке 5000
Под заказ
5000 Штук в Катушке

Цена последней продажи

Запросить условия поставки
MOSFET транзистор BSZ120P03NS3EGATMA1, производителя Infineon
Ключевые параметры компонента BSZ120P03NS3EGATMA1: Полярность: P-Channel; V(br)dss: -30 В; Rds(on): 12 мОм; Qg: 30 нКл; Корпус: S3O8 (3x3mm style SuperSO8).

Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.

Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.

Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.