- Артикул: 00411560
- Количество в упаковке: 5000
- Стандартная упаковка: Катушка
BSZ900N20NS3GATMA1 Infineon
Краткое описание
Спецификация
MOSFET транзистор N-Channel, 200В, 90 мОм, 8.7 нКл, 15.2А, PG-TSDSON-8
Производитель
Infineon
Код товара производителя
BSZ900N20NS3GATMA1
Наименование класса номенклатуры
MOSFET транзистор
OPN
SP000781806
Основные характеристики
Полярность
N-Channel
V(br)dss
(напряжение сток-исток)
200 В
Rds(on)
(сопротивление канала)
90 мОм
Qg
(заряд затвора)
8,7 нКл
Id
(ток стока при 25°C)
15.2 А
Тип монтажа
SMD/SMT
Диапазон рабочих температур
-55°C~150°C
Размеры
Корпус
PG-TSDSON-8
Сертификаты
Соответствие ROHS
да
Упаковка
Упаковка
(стандартная)
Катушка
Количество в упаковке
5000
Документация и файлы для загрузки
раскрыть всеDatasheets (2)
pdf
568.48 КБ
pdf
568.48 КБ
MOSFET транзистор BSZ900N20NS3GATMA1, производителя Infineon
Ключевые параметры компонента BSZ900N20NS3GATMA1: Полярность: N-Channel; V(br)dss: 200 В; Rds(on): 90 мОм; Qg: 8,7 нКл; Id: 15.2 А; Корпус: PG-TSDSON-8.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.
Ключевые параметры компонента BSZ900N20NS3GATMA1: Полярность: N-Channel; V(br)dss: 200 В; Rds(on): 90 мОм; Qg: 8,7 нКл; Id: 15.2 А; Корпус: PG-TSDSON-8.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.