- Артикул: 00381637
- Количество в упаковке: 5
- Стандартная упаковка: Россыпь
IGOT60R070D1AUMA1 Infineon
Краткое описание
Спецификация
MOSFET транзистор IGOT60R070D1 SP001505772 INF
MOSFET транзистор N-Channel, 600В, 70 мОм, 5.8 нКл, DSO-20-87
MOSFET транзистор N-Channel, 600В, 70 мОм, 5.8 нКл, DSO-20-87
Производитель
Infineon
Код товара производителя
IGOT60R070D1AUMA1
Наименование класса номенклатуры
MOSFET транзистор
OPN
SP001505772
Основные характеристики
Полярность
N-Channel
Rds(on)
(сопротивление канала)
70 мОм
Id
(ток стока)
31 А
Тип монтажа
SMD/SMT
Диапазон рабочих температур
-55°C до +150°C
V(br)dss
(напряжение сток-исток)
600 В
Qg
(заряд затвора)
5.8 нКл
Размеры
Корпус
DSO-20-87
Сертификаты
Соответствие ROHS
Да
Упаковка
Упаковка
(стандартная)
Россыпь
Количество в упаковке
5
Документация и файлы для загрузки
раскрыть всеDatasheets (1)
pdf
531.26 КБ
MOSFET транзистор IGOT60R070D1AUMA1, производителя Infineon
Ключевые параметры компонента IGOT60R070D1AUMA1: Полярность: N-Channel; Rds(on): 70 мОм; Id: 31 А; Корпус: DSO-20-87.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.
Ключевые параметры компонента IGOT60R070D1AUMA1: Полярность: N-Channel; Rds(on): 70 мОм; Id: 31 А; Корпус: DSO-20-87.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.