- Артикул: 00397027
- Количество в упаковке: 10
- Стандартная упаковка: Россыпь
IGT60R190D1SATMA1 Infineon
Краткое описание
Спецификация
MOSFET транзистор IGT60R190D1S SP001701702 INF
MOSFET транзистор N-Channel, 600В, 190 мОм, 3.2 нКл, HSOF-8-3
MOSFET транзистор N-Channel, 600В, 190 мОм, 3.2 нКл, HSOF-8-3
Производитель
Infineon
Код товара производителя
IGT60R190D1SATMA1
Наименование класса номенклатуры
MOSFET транзистор
Основные характеристики
Полярность
N-Channel
V(br)dss
(напряжение пробоя сток-исток)
600 В
Rds(on)
(сопротивление открытого канала)
190 мОм
Тип монтажа
SMD/SMT
Диапазон рабочих температур
-55°C до +150°C
Qg
(заряд затвора)
3.2 нКл
Размеры
Корпус
HSOF-8-3
Сертификаты
Соответствие ROHS
Да
Упаковка
Упаковка
(стандартная)
Россыпь
Количество в упаковке
10
Документация и файлы для загрузки
раскрыть всеDatasheets (1)
pdf
544.08 КБ
MOSFET транзистор IGT60R190D1SATMA1, производителя Infineon
Ключевые параметры компонента IGT60R190D1SATMA1: Полярность: N-Channel; Rds(on): 190 мОм; Корпус: HSOF-8-3.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.
Ключевые параметры компонента IGT60R190D1SATMA1: Полярность: N-Channel; Rds(on): 190 мОм; Корпус: HSOF-8-3.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.