- Артикул: 00345691
- Количество в упаковке: 50
IPA50R950CEXKSA2 Infineon
Краткое описание
Спецификация
Reduced energy stored in output capacitance (E oss)
High body diode ruggedness
Reduced reverse recovery charge (Q rr )
Reduced gate charge (Q g )
MOSFET транзистор N-Channel, 500В, 950 мОм, 10.5 нКл, TO-220AB
High body diode ruggedness
Reduced reverse recovery charge (Q rr )
Reduced gate charge (Q g )
MOSFET транзистор N-Channel, 500В, 950 мОм, 10.5 нКл, TO-220AB
Производитель
Infineon
Код товара производителя
IPA50R950CEXKSA2
Наименование класса номенклатуры
MOSFET транзистор
OPN
SP001217236
Основные характеристики
Полярность
N-Channel
V(br)dss
(напряжение сток-исток)
500 В
Rds(on)
(сопротивление канала)
950 мОм
Qg
(заряд затвора)
10,5 нКл
Тип монтажа
Through Hole
Диапазон рабочих температур
-40°C~150°C
Размеры
Корпус
TO-220AB
Упаковка
Количество в упаковке
50
MOSFET транзистор IPA50R950CEXKSA2, производителя Infineon
Ключевые параметры компонента IPA50R950CEXKSA2: Полярность: N-Channel; V(br)dss: 500 В; Rds(on): 950 мОм; Qg: 10,5 нКл; Корпус: TO-220AB.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.
Ключевые параметры компонента IPA50R950CEXKSA2: Полярность: N-Channel; V(br)dss: 500 В; Rds(on): 950 мОм; Qg: 10,5 нКл; Корпус: TO-220AB.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.