- Артикул: 00337294
- Количество в упаковке: 1
IPA60R180C7XKSA1 Infineon
Краткое описание
Спецификация
Reduced switching loss parameters such as Q G, C oss, E oss
Best-in-class figure of merit Q G*R DS(on)
Increased switching frequency
Best R (on)*A in the world
Rugged body diode
MOSFET транзистор N-Channel, 600В, 180 мОм, 24 нКл, TO-220AB
Best-in-class figure of merit Q G*R DS(on)
Increased switching frequency
Best R (on)*A in the world
Rugged body diode
MOSFET транзистор N-Channel, 600В, 180 мОм, 24 нКл, TO-220AB
Производитель
Infineon
Код товара производителя
IPA60R180C7XKSA1
Наименование класса номенклатуры
MOSFET транзистор
OPN
SP001296216
Основные характеристики
Полярность
N-Channel
V(br)dss
(напряжение сток-исток)
600 В
Rds(on)
(сопротивление канала)
180 мОм
Qg
(заряд затвора)
24 нКл
Тип монтажа
Through Hole
Диапазон рабочих температур
-55°C~150°C
Размеры
Корпус
TO-220AB
Упаковка
Количество в упаковке
1
MOSFET транзистор IPA60R180C7XKSA1, производителя Infineon
Ключевые параметры компонента IPA60R180C7XKSA1: Полярность: N-Channel; V(br)dss: 600 В; Rds(on): 180 мОм; Qg: 24 нКл; Корпус: TO-220AB.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.
Ключевые параметры компонента IPA60R180C7XKSA1: Полярность: N-Channel; V(br)dss: 600 В; Rds(on): 180 мОм; Qg: 24 нКл; Корпус: TO-220AB.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.