- Артикул: 00351587
- Количество в упаковке: 50
- Стандартная упаковка: Россыпь
IPA90R1K2C3XKSA1 Infineon
Краткое описание
Спецификация
Low specific on-state resistance (R on*A)
Very low energy storage in output capacitance (E oss) @400V
Low gate charge (Q g)
Fieldproven CoolMOS™ quality
CoolMOS™ technology has been manufactured by Infineon since 1998
MOSFET транзистор IPA90R1K2C3 SP000413714 INF
MOSFET транзистор N-Channel, 900В, 1200 мОм, 29 нКл, TO-220AB
Very low energy storage in output capacitance (E oss) @400V
Low gate charge (Q g)
Fieldproven CoolMOS™ quality
CoolMOS™ technology has been manufactured by Infineon since 1998
MOSFET транзистор IPA90R1K2C3 SP000413714 INF
MOSFET транзистор N-Channel, 900В, 1200 мОм, 29 нКл, TO-220AB
Производитель
Infineon
Код товара производителя
IPA90R1K2C3XKSA1
Наименование класса номенклатуры
MOSFET транзистор
OPN
SP000413714
Основные характеристики
Полярность
N-Channel
Rds(on)
(сопротивление канала)
1200 мОм
Тип монтажа
Through Hole
Диапазон рабочих температур
-55°C до +150°C
V(br)dss
(напряжение сток-исток)
900 В
Qg
(заряд затвора)
29 нКл
Размеры
Корпус
TO-220AB
Сертификаты
Соответствие ROHS
Да
Упаковка
Упаковка
(стандартная)
Россыпь
Количество в упаковке
50
Документация и файлы для загрузки
раскрыть всеDatasheets (1)
DataSheet IPA90R1K2C3 Infineon
Английский язык
29.07.2009
pdf
335.32 КБ
IPA90R1K2C3XKSA1 Infineon
Аналоги
| WayOn | WML08N80M3 WayOn, Полевые (MOSFET) транзисторы силовые, Полярность: N-Channel; Rds(on): 1.38 Ом; Id: 7 А; Корпус: TO-220F | Под заказ | 91.51 руб./шт. |
|
WML08N80M3 WayOn
Полная карточка товара
WML08N80M3 WayOn, Полевые (MOSFET) транзисторы силовые, Полярность: N-Channel; Rds(on): 1.38 Ом; Id: 7 А; Корпус: TO-220F
Добавить в избранное
Под заказ
50 Штук в Пенале
от 1 шт.
91.51 руб./шт.
|
|||
| WayOn | WML09N90C2 WayOn, Полевые (MOSFET) транзисторы силовые, Полярность: N-Channel; Rds(on): 1.37 Ом; Id: 8 А; Корпус: TO-220F | Под заказ | - |
|
WML09N90C2 WayOn
Полная карточка товара
WML09N90C2 WayOn, Полевые (MOSFET) транзисторы силовые, Полярность: N-Channel; Rds(on): 1.37 Ом; Id: 8 А; Корпус: TO-220F
Добавить в избранное
Под заказ
30 Штук в Россыпи
|
|||
MOSFET транзистор IPA90R1K2C3XKSA1, производителя Infineon
Ключевые параметры компонента IPA90R1K2C3XKSA1: Полярность: N-Channel; Rds(on): 1200 мОм; Корпус: TO-220AB.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.
Ключевые параметры компонента IPA90R1K2C3XKSA1: Полярность: N-Channel; Rds(on): 1200 мОм; Корпус: TO-220AB.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.