- Артикул: 00409655
- Количество в упаковке: 30
IPAN60R360PFD7SXKSA1 Infineon
Краткое описание
Спецификация
MOSFET транзистор N-Channel, 650В, 360 мОм, 12.7 нКл, 10А, TO 220 FullPAK Narrow Lea
Производитель
Infineon
Код товара производителя
IPAN60R360PFD7SXKSA1
Наименование класса номенклатуры
MOSFET транзистор
OPN
SP003965454
Основные характеристики
Полярность
N-Channel
V(br)dss
(напряжение сток-исток)
650 В
Rds(on)
(сопротивление канала)
360 мОм
Qg
(заряд затвора)
12,7 нКл
Id
(ток стока при 25°C)
10 А
Тип монтажа
Through Hole
Диапазон рабочих температур
-40°C~150°C
Размеры
Корпус
TO 220 FullPAK Narrow Lea
Упаковка
Количество в упаковке
30
Документация и файлы для загрузки
раскрыть всеDatasheets (1)
pdf
1.13 МБ
MOSFET транзистор IPAN60R360PFD7SXKSA1, производителя Infineon
Ключевые параметры компонента IPAN60R360PFD7SXKSA1: Полярность: N-Channel; V(br)dss: 650 В; Rds(on): 360 мОм; Qg: 12,7 нКл; Id: 10 А; Корпус: TO 220 FullPAK Narrow Lea.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.
Ключевые параметры компонента IPAN60R360PFD7SXKSA1: Полярность: N-Channel; V(br)dss: 650 В; Rds(on): 360 мОм; Qg: 12,7 нКл; Id: 10 А; Корпус: TO 220 FullPAK Narrow Lea.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.