- Артикул: 00300020
- Количество в упаковке: 1
- Стандартная упаковка: Россыпь
IPB020NE7N3GATMA1 Infineon
Краткое описание
Спецификация
MOSFET транзистор IPB020NE7N3 G SP000676950 INF
MOSFET транзистор N-Channel, 75В, 2.0 мОм, 155 нКл, D2Pak (TO-263)
MOSFET транзистор N-Channel, 75В, 2.0 мОм, 155 нКл, D2Pak (TO-263)
Производитель
Infineon
Код товара производителя
IPB020NE7N3GATMA1
Наименование класса номенклатуры
MOSFET транзистор
OPN
SP000676950
Основные характеристики
Полярность
N-Channel
Rds(on)
(сопротивление канала)
2.0 мОм
Id
(ток стока)
120 А
Тип монтажа
SMD/SMT
Диапазон рабочих температур
-55°C до +175°C
V(br)dss
(напряжение сток-исток)
75 В
Qg
(заряд затвора)
155 нКл
Размеры
Корпус
D2Pak (TO-263)
Сертификаты
Соответствие ROHS
Да
Упаковка
Упаковка
(стандартная)
Россыпь
Количество в упаковке
1
MOSFET транзистор IPB020NE7N3GATMA1, производителя Infineon
Ключевые параметры компонента IPB020NE7N3GATMA1: Полярность: N-Channel; Rds(on): 2.0 мОм; Id: 120 А; Корпус: D2Pak (TO-263).
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.
Ключевые параметры компонента IPB020NE7N3GATMA1: Полярность: N-Channel; Rds(on): 2.0 мОм; Id: 120 А; Корпус: D2Pak (TO-263).
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.