- Артикул: 00410238
- Количество в упаковке: 1000
- Стандартная упаковка: Коробка
IPB120P04P4L03ATMA2 Infineon
Краткое описание
Спецификация
MOSFET транзистор IPB120P04P4L-03 SP002325760 INF
MOSFET транзистор Р-Channel, -40В, 3,1 мОм, 180 нКл, -120А, D2Pak (TO-263)
MOSFET транзистор Р-Channel, -40В, 3,1 мОм, 180 нКл, -120А, D2Pak (TO-263)
Производитель
Infineon
Код товара производителя
IPB120P04P4L03ATMA2
Наименование класса номенклатуры
MOSFET транзистор
OPN
SP002325760
Основные характеристики
Полярность
P-Channel
Rds(on)
(сопротивление канала)
3.1 мОм
Id
(ток стока)
-120 А
Тип монтажа
SMD/SMT
Диапазон рабочих температур
-55°C до +175°C
V(br)dss
(напряжение сток-исток)
-40 В
Qg
(заряд затвора)
180 нКл
Размеры
Корпус
D2Pak (TO-263)
Сертификаты
Соответствие ROHS
Да
Упаковка
Упаковка
(стандартная)
Коробка
Количество в упаковке
1000
Документация и файлы для загрузки
раскрыть всеDatasheets (1)
pdf
430.51 КБ
MOSFET транзистор IPB120P04P4L03ATMA2, производителя Infineon
Ключевые параметры компонента IPB120P04P4L03ATMA2: Полярность: P-Channel; Rds(on): 3.1 мОм; Id: -120 А; Корпус: D2Pak (TO-263).
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.
Ключевые параметры компонента IPB120P04P4L03ATMA2: Полярность: P-Channel; Rds(on): 3.1 мОм; Id: -120 А; Корпус: D2Pak (TO-263).
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.