Регистрация
Комплексные поставки электронных компонентов

IPB35N10S3L26ATMA1 Infineon

Краткое описание

Код товара у производителя: IPB35N10S3L26ATMA1 Производитель: Infineon OPN: SP000776044
IPB35N10S3L26ATMA1 Infineon
  • Артикул: 00383516
  • Количество в упаковке: 1000
  • Стандартная упаковка: Катушка

Спецификация

N-channel - Enhancement mode
Automotive AEC Q101 qualified
MSL1 up to 260°C peak reflow
175°C operating temperature
Green product (RoHS compliant)
100% Avalanche tested

MOSFET транзистор N-Channel, 100В, 26.3 мОм, 30 нКл, D2Pak (TO-263)
Производитель Infineon
Код товара производителя IPB35N10S3L26ATMA1
Наименование класса номенклатуры MOSFET транзистор
OPN SP000776044
Основные характеристики
Полярность N-Channel
V(br)dss (напряжение сток-исток) 100 В
Rds(on) (сопротивление канала) 26,3 мОм
Qg (заряд затвора) 30 нКл
Тип монтажа SMD/SMT
Диапазон рабочих температур -55°C~175°C
Размеры
Корпус D2Pak (TO-263)
Упаковка
Упаковка (стандартная) Катушка
Количество в упаковке 1000
Под заказ
1000 Штук в Катушке

Цена последней продажи

Запросить условия поставки
MOSFET транзистор IPB35N10S3L26ATMA1, производителя Infineon
Ключевые параметры компонента IPB35N10S3L26ATMA1: Полярность: N-Channel; V(br)dss: 100 В; Rds(on): 26,3 мОм; Qg: 30 нКл; Корпус: D2Pak (TO-263).

Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.

Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.

Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.