- Артикул: 00383637
- Количество в упаковке: 1000
- Стандартная упаковка: Катушка
IPB60R099P7ATMA1 Infineon
Краткое описание
Спецификация
600V P7 enables excellent FOM R DS(on)xE oss andR DS(on)xQ G
MOSFET транзистор IPB60R099P7 SP001664910 INF
MOSFET транзистор N-Channel, 600В, 99 мОм, 45 нКл, D2Pak (TO-263)
MOSFET транзистор IPB60R099P7 SP001664910 INF
MOSFET транзистор N-Channel, 600В, 99 мОм, 45 нКл, D2Pak (TO-263)
Производитель
Infineon
Код товара производителя
IPB60R099P7ATMA1
Наименование класса номенклатуры
MOSFET транзистор
Основные характеристики
Полярность
N-Channel
V(br)dss
(напряжение пробоя сток-исток)
600 В
Rds(on)
(сопротивление открытого канала)
99 мОм
Id
(ток стока)
31 А
Тип монтажа
SMD/SMT
Диапазон рабочих температур
-55°C до +150°C
Qg
(заряд затвора)
45 нКл
Размеры
Корпус
D2Pak (TO-263)
Типоразмер
D2PAK
Сертификаты
Соответствие ROHS
Да
Упаковка
Упаковка
(стандартная)
Катушка
Количество в упаковке
1000
MOSFET транзистор IPB60R099P7ATMA1, производителя Infineon
Ключевые параметры компонента IPB60R099P7ATMA1: Полярность: N-Channel; Rds(on): 99 мОм; Id: 31 А; Корпус: D2Pak (TO-263).
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.
Ключевые параметры компонента IPB60R099P7ATMA1: Полярность: N-Channel; Rds(on): 99 мОм; Id: 31 А; Корпус: D2Pak (TO-263).
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.