- Артикул: 00383961
- Количество в упаковке: 50
IPD038N06N3GATMA1 Infineon
Краткое описание
Спецификация
Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)
Very low on-resistance R DS(on)
Ideal for fast switching applications
RoHS compliant - halogen free
MSL1 rated
MOSFET транзистор N-Channel, 60В, 3.8 мОм, 98 нКл, DPak (TO-252)
Very low on-resistance R DS(on)
Ideal for fast switching applications
RoHS compliant - halogen free
MSL1 rated
MOSFET транзистор N-Channel, 60В, 3.8 мОм, 98 нКл, DPak (TO-252)
Производитель
Infineon
Код товара производителя
IPD038N06N3GATMA1
Наименование класса номенклатуры
MOSFET транзистор
OPN
SP000397994
Основные характеристики
Полярность
N-Channel
V(br)dss
(напряжение сток-исток)
60 В
Rds(on)
(сопротивление канала)
3,8 мОм
Qg
(заряд затвора)
98 нКл
Тип монтажа
SMD/SMT
Диапазон рабочих температур
-55°C~175°C
Размеры
Корпус
DPak (TO-252)
Упаковка
Количество в упаковке
50
MOSFET транзистор IPD038N06N3GATMA1, производителя Infineon
Ключевые параметры компонента IPD038N06N3GATMA1: Полярность: N-Channel; V(br)dss: 60 В; Rds(on): 3,8 мОм; Qg: 98 нКл; Корпус: DPak (TO-252).
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.
Ключевые параметры компонента IPD038N06N3GATMA1: Полярность: N-Channel; V(br)dss: 60 В; Rds(on): 3,8 мОм; Qg: 98 нКл; Корпус: DPak (TO-252).
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.