- Артикул: 00384001
- Количество в упаковке: 2500
- Стандартная упаковка: Катушка
IPD050N03LGATMA1 Infineon
Краткое описание
Спецификация
Ultra low gate and output charge
Lowest on-state resistance in small footprint packages
Easy to design in
MOSFET транзистор N-Channel, 30В, 5 мОм, 15 нКл, DPak (TO-252)
Lowest on-state resistance in small footprint packages
Easy to design in
MOSFET транзистор N-Channel, 30В, 5 мОм, 15 нКл, DPak (TO-252)
Производитель
Infineon
Код товара производителя
IPD050N03LGATMA1
Наименование класса номенклатуры
MOSFET транзистор
OPN
SP000680630
Основные характеристики
Полярность
N-Channel
V(br)dss
(напряжение сток-исток)
30 В
Rds(on)
(сопротивление канала)
5 мОм
Qg
(заряд затвора)
15 нКл
Тип монтажа
SMD/SMT
Диапазон рабочих температур
-55°C~175°C
Размеры
Корпус
DPak (TO-252)
Упаковка
Упаковка
(стандартная)
Катушка
Количество в упаковке
2500
MOSFET транзистор IPD050N03LGATMA1, производителя Infineon
Ключевые параметры компонента IPD050N03LGATMA1: Полярность: N-Channel; V(br)dss: 30 В; Rds(on): 5 мОм; Qg: 15 нКл; Корпус: DPak (TO-252).
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.
Ключевые параметры компонента IPD050N03LGATMA1: Полярность: N-Channel; V(br)dss: 30 В; Rds(on): 5 мОм; Qg: 15 нКл; Корпус: DPak (TO-252).
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.