- Артикул: 00284909
- Количество в упаковке: 2500
- Стандартная упаковка: Катушка
IPD320N20N3GATMA1 Infineon
Краткое описание
Спецификация
Industry’s lowest R DS(on)
Lowest Q g and Q gd
World’s lowest FOM RoHS compliant − halogen free MSL 1 rated
MOSFET транзистор N-Channel, 200В, 32 мОм, 22 нКл, DPak (TO-252)
Lowest Q g and Q gd
World’s lowest FOM RoHS compliant − halogen free MSL 1 rated
MOSFET транзистор N-Channel, 200В, 32 мОм, 22 нКл, DPak (TO-252)
Производитель
Infineon
Код товара производителя
IPD320N20N3GATMA1
Наименование класса номенклатуры
MOSFET транзистор
OPN
SP001127832
Основные характеристики
Полярность
N-Channel
V(br)dss
(напряжение сток-исток)
200 В
Rds(on)
(сопротивление канала)
32 мОм
Qg
(заряд затвора)
22 нКл
Тип монтажа
SMD/SMT
Диапазон рабочих температур
-55°C~175°C
Размеры
Корпус
DPak (TO-252)
Сертификаты
Соответствие ROHS
да
Упаковка
Упаковка
(стандартная)
Катушка
Количество в упаковке
2500
MOSFET транзистор IPD320N20N3GATMA1, производителя Infineon
Ключевые параметры компонента IPD320N20N3GATMA1: Полярность: N-Channel; V(br)dss: 200 В; Rds(on): 32 мОм; Qg: 22 нКл; Корпус: DPak (TO-252).
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.
Ключевые параметры компонента IPD320N20N3GATMA1: Полярность: N-Channel; V(br)dss: 200 В; Rds(on): 32 мОм; Qg: 22 нКл; Корпус: DPak (TO-252).
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.