- Артикул: 00299636
- Количество в упаковке: 1
IPD50R500CEBTMA1 Infineon
Краткое описание
Спецификация
Reduced energy stored in output capacitance (E oss)
High body diode ruggedness
Reduced reverse recovery charge (Q rr )
Reduced gate charge (Q g )
MOSFET транзистор N-Channel, 500В, 500 мОм, 18.7 нКл, DPak (TO-252)
High body diode ruggedness
Reduced reverse recovery charge (Q rr )
Reduced gate charge (Q g )
MOSFET транзистор N-Channel, 500В, 500 мОм, 18.7 нКл, DPak (TO-252)
Производитель
Infineon
Код товара производителя
IPD50R500CEBTMA1
Наименование класса номенклатуры
MOSFET транзистор
OPN
SP000988424
Основные характеристики
Полярность
N-Channel
V(br)dss
(напряжение сток-исток)
500 В
Rds(on)
(сопротивление канала)
500 мОм
Qg
(заряд затвора)
18,7 нКл
Тип монтажа
SMD/SMT
Диапазон рабочих температур
-55°C~150°C
Размеры
Корпус
DPak (TO-252)
Сертификаты
Соответствие ROHS
да
Упаковка
Количество в упаковке
1
MOSFET транзистор IPD50R500CEBTMA1, производителя Infineon
Ключевые параметры компонента IPD50R500CEBTMA1: Полярность: N-Channel; V(br)dss: 500 В; Rds(on): 500 мОм; Qg: 18,7 нКл; Корпус: DPak (TO-252).
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.
Ключевые параметры компонента IPD50R500CEBTMA1: Полярность: N-Channel; V(br)dss: 500 В; Rds(on): 500 мОм; Qg: 18,7 нКл; Корпус: DPak (TO-252).
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.