- Артикул: 00384077
- Количество в упаковке: 6
- Стандартная упаковка: Россыпь
IPD60R180P7ATMA1 Infineon
Краткое описание
Спецификация
600V P7 enables excellent FOM R DS(on)xE oss andR DS(on)xQ G
MOSFET транзистор IPD60R180P7 SP001606052 INF
MOSFET транзистор N-Channel, 600В, 180 мОм, 25 нКл, DPak (TO-252)
MOSFET транзистор IPD60R180P7 SP001606052 INF
MOSFET транзистор N-Channel, 600В, 180 мОм, 25 нКл, DPak (TO-252)
Производитель
Infineon
Код товара производителя
IPD60R180P7ATMA1
Наименование класса номенклатуры
MOSFET транзистор
OPN
SP001606052
Основные характеристики
Полярность
N-Channel
Rds(on)
(сопротивление канала)
180 мОм
Тип монтажа
SMD/SMT
Диапазон рабочих температур
-55°C до +150°C
V(br)dss
(напряжение сток-исток)
600 В
Qg
(заряд затвора)
25 нКл
Размеры
Корпус
DPak (TO-252)
Сертификаты
Соответствие ROHS
Да
Упаковка
Упаковка
(стандартная)
Россыпь
Количество в упаковке
6
Документация и файлы для загрузки
раскрыть всеDatasheets (1)
pdf
1.08 МБ
MOSFET транзистор IPD60R180P7ATMA1, производителя Infineon
Ключевые параметры компонента IPD60R180P7ATMA1: Полярность: N-Channel; Rds(on): 180 мОм; Корпус: DPak (TO-252).
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.
Ключевые параметры компонента IPD60R180P7ATMA1: Полярность: N-Channel; Rds(on): 180 мОм; Корпус: DPak (TO-252).
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.