- Артикул: 00369902
- Количество в упаковке: 100
IPD60R360P7SAUMA1 Infineon
Краткое описание
Спецификация
600V P7 enables excellent FOM R DS(on)xE oss andR DS(on)xQ G
MOSFET транзистор N-Channel, 600В, 360 мОм, 13 нКл, DPak (TO-252)
MOSFET транзистор N-Channel, 600В, 360 мОм, 13 нКл, DPak (TO-252)
Производитель
Infineon
Код товара производителя
IPD60R360P7SAUMA1
Наименование класса номенклатуры
MOSFET транзистор
OPN
SP001658166
Основные характеристики
Полярность
N-Channel
V(br)dss
(напряжение сток-исток)
600 В
Rds(on)
(сопротивление канала)
360 мОм
Qg
(заряд затвора)
13 нКл
Тип монтажа
SMD/SMT
Диапазон рабочих температур
-40°C~150°C
Размеры
Корпус
DPak (TO-252)
Сертификаты
Соответствие ROHS
да
Упаковка
Количество в упаковке
100
Документация и файлы для загрузки
раскрыть всеDatasheets (1)
pdf
920.97 КБ
MOSFET транзистор IPD60R360P7SAUMA1, производителя Infineon
Ключевые параметры компонента IPD60R360P7SAUMA1: Полярность: N-Channel; V(br)dss: 600 В; Rds(on): 360 мОм; Qg: 13 нКл; Корпус: DPak (TO-252).
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.
Ключевые параметры компонента IPD60R360P7SAUMA1: Полярность: N-Channel; V(br)dss: 600 В; Rds(on): 360 мОм; Qg: 13 нКл; Корпус: DPak (TO-252).
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.