- Артикул: 00299730
- Количество в упаковке: 2500
- Стандартная упаковка: Катушка
IPD60R3K3C6BTMA1 Infineon
Краткое описание
Спецификация
Easy control of switching behavior
Extremely low losses due to very low Figure of Merit (R DS(on)* Q g and E oss)
Very high commutation ruggedness
Easy to use
Better light load efficiency compared to C3
Outstanding reliability with proven CoolMOS™ quality combined with high body diode ruggedness
Better price performance in comparison to previous CoolMOS™ generations
More efficient, more compact, lighter and cooler
MOSFET транзистор N-Channel, 600В, 3300 мОм, 4.6 нКл, DPak (TO-252)
Extremely low losses due to very low Figure of Merit (R DS(on)* Q g and E oss)
Very high commutation ruggedness
Easy to use
Better light load efficiency compared to C3
Outstanding reliability with proven CoolMOS™ quality combined with high body diode ruggedness
Better price performance in comparison to previous CoolMOS™ generations
More efficient, more compact, lighter and cooler
MOSFET транзистор N-Channel, 600В, 3300 мОм, 4.6 нКл, DPak (TO-252)
Производитель
Infineon
Код товара производителя
IPD60R3K3C6BTMA1
Наименование класса номенклатуры
MOSFET транзистор
OPN
SP000799130
Основные характеристики
Полярность
N-Channel
V(br)dss
(напряжение сток-исток)
600 В
Rds(on)
(сопротивление канала)
3300 мОм
Qg
(заряд затвора)
4,6 нКл
Тип монтажа
SMD/SMT
Диапазон рабочих температур
-40°C~150°C
Размеры
Корпус
DPak (TO-252)
Упаковка
Упаковка
(стандартная)
Катушка
Количество в упаковке
2500
IPD60R3K3C6BTMA1 Infineon
Аналоги
Infineon | MOSFET транзистор IPD60R3K3C6ATMA1; Полярность: N-Channel; V(br)dss: 600 В; Rds(on): 3300 мОм; Qg: 4,6 нКл; Корпус: DPak (TO-252) | Под заказ | 0 руб./шт. |
IPD60R3K3C6ATMA1 Infineon
Полная карточка товара
MOSFET транзистор IPD60R3K3C6ATMA1; Полярность: N-Channel; V(br)dss: 600 В; Rds(on): 3300 мОм; Qg: 4,6 нКл; Корпус: DPak (TO-252)
Добавить в избранное
Под заказ
2500 Штук в Катушке
|
MOSFET транзистор IPD60R3K3C6BTMA1, производителя Infineon
Ключевые параметры компонента IPD60R3K3C6BTMA1: Полярность: N-Channel; V(br)dss: 600 В; Rds(on): 3300 мОм; Qg: 4,6 нКл; Корпус: DPak (TO-252).
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.
Ключевые параметры компонента IPD60R3K3C6BTMA1: Полярность: N-Channel; V(br)dss: 600 В; Rds(on): 3300 мОм; Qg: 4,6 нКл; Корпус: DPak (TO-252).
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.