- Артикул: 00367395
- Количество в упаковке: 100
- Стандартная упаковка: Россыпь
IPD60R600P7ATMA1 Infineon
Краткое описание
Спецификация
600V P7 enables excellent FOM R DS(on)xE oss andR DS(on)xQ G
MOSFET транзистор IPD60R600P7 SP001606046 INF
MOSFET транзистор N-Channel, 600В, 600 мОм, 9 нКл, DPak (TO-252)
MOSFET транзистор IPD60R600P7 SP001606046 INF
MOSFET транзистор N-Channel, 600В, 600 мОм, 9 нКл, DPak (TO-252)
Производитель
Infineon
Код товара производителя
IPD60R600P7ATMA1
Наименование класса номенклатуры
MOSFET транзистор
OPN
SP001606046
Основные характеристики
Полярность
N-Channel
Rds(on)
(сопротивление канала)
600 мОм
Id
(ток стока)
6 А
Тип монтажа
SMD/SMT
Диапазон рабочих температур
-55°C до +150°C
V(br)dss
(напряжение сток-исток)
600 В
Qg
(заряд затвора)
9 нКл
Размеры
Корпус
DPak (TO-252)
Сертификаты
Соответствие ROHS
Да
Упаковка
Упаковка
(стандартная)
Россыпь
Количество в упаковке
100
MOSFET транзистор IPD60R600P7ATMA1, производителя Infineon
Ключевые параметры компонента IPD60R600P7ATMA1: Полярность: N-Channel; Rds(on): 600 мОм; Id: 6 А; Корпус: DPak (TO-252).
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.
Ключевые параметры компонента IPD60R600P7ATMA1: Полярность: N-Channel; Rds(on): 600 мОм; Id: 6 А; Корпус: DPak (TO-252).
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.