- Артикул: 00316811
- Количество в упаковке: 1
IPD60R800CEATMA1 Infineon
Краткое описание
Спецификация
Narrow margins between typical and max R DS(on)
Reduced energy stored in output capacitance (E oss)
Good body diode ruggedness and reduced reverse recovery charge (Q rr)
Optimized integrated R g
MOSFET транзистор N-Channel, 600В, 800 мОм, 17.2 нКл, DPak (TO-252)
Reduced energy stored in output capacitance (E oss)
Good body diode ruggedness and reduced reverse recovery charge (Q rr)
Optimized integrated R g
MOSFET транзистор N-Channel, 600В, 800 мОм, 17.2 нКл, DPak (TO-252)
Производитель
Infineon
Код товара производителя
IPD60R800CEATMA1
Наименование класса номенклатуры
MOSFET транзистор
OPN
SP001276028
Основные характеристики
Полярность
N-Channel
V(br)dss
(напряжение сток-исток)
600 В
Rds(on)
(сопротивление канала)
800 мОм
Qg
(заряд затвора)
17,2 нКл
Тип монтажа
SMD/SMT
Диапазон рабочих температур
-55°C~175°C
Размеры
Корпус
DPak (TO-252)
Упаковка
Количество в упаковке
1
IPD60R800CEATMA1 Infineon
Аналоги
| WayOn | MOSFET транзистор WMO09N60C2; SJ-MOS C2 Полярность: N-Channel; V(br)dss: 600 В; Rds(on): 0,94 Ом; Qg: 6,8 нКл; Id: 6 А; Корпус: DPAK (TO-252) | В наличии | 36.56 руб./шт. |
|
WMO09N60C2 WayOn
Полная карточка товара
MOSFET транзистор WMO09N60C2; SJ-MOS C2 Полярность: N-Channel; V(br)dss: 600 В; Rds(on): 0,94 Ом; Qg: 6,8 нКл; Id: 6 А; Корпус: DPAK (TO-252)
Добавить в избранное
В наличии 14 Штук
Поштучная продажа
от 1 шт.
36.56 руб./шт.
|
|||
MOSFET транзистор IPD60R800CEATMA1, производителя Infineon
Ключевые параметры компонента IPD60R800CEATMA1: Полярность: N-Channel; V(br)dss: 600 В; Rds(on): 800 мОм; Qg: 17,2 нКл; Корпус: DPak (TO-252).
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.
Ключевые параметры компонента IPD60R800CEATMA1: Полярность: N-Channel; V(br)dss: 600 В; Rds(on): 800 мОм; Qg: 17,2 нКл; Корпус: DPak (TO-252).
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.