- Артикул: 00279614
- Количество в упаковке: 1
- Стандартная упаковка: Россыпь
IPD640N06LGBTMA1 Infineon
Краткое описание
Спецификация
MOSFET транзистор IPD640N06L G SP000443766 INF
MOSFET транзистор N-Channel, 60В, 64 мОм, 10 нКл, 18А, DPak (TO-252)
MOSFET транзистор N-Channel, 60В, 64 мОм, 10 нКл, 18А, DPak (TO-252)
Производитель
Infineon
Код товара производителя
IPD640N06LGBTMA1
Наименование класса номенклатуры
MOSFET транзистор
OPN
SP000443766
Основные характеристики
Полярность
N-Channel
Rds(on)
(сопротивление канала)
64 мОм
Id
(ток стока)
18 А
Тип монтажа
SMD/SMT
Диапазон рабочих температур
-55°C до +175°C
V(br)dss
(напряжение сток-исток)
60 В
Qg
(заряд затвора)
10 нКл
Размеры
Корпус
DPak (TO-252)
Типоразмер
DPAK (TO-252)
Сертификаты
Соответствие ROHS
Да
Упаковка
Упаковка
(стандартная)
Россыпь
Количество в упаковке
1
MOSFET транзистор IPD640N06LGBTMA1, производителя Infineon
Ключевые параметры компонента IPD640N06LGBTMA1: Полярность: N-Channel; Rds(on): 64 мОм; Id: 18 А; Корпус: DPak (TO-252).
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.
Ключевые параметры компонента IPD640N06LGBTMA1: Полярность: N-Channel; Rds(on): 64 мОм; Id: 18 А; Корпус: DPak (TO-252).
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.