- Артикул: 00338268
- Количество в упаковке: 1
IPD70R950CEAUMA1 Infineon
Краткое описание
Спецификация
Thermal behavior
≤ 90°C on device, open case
≤ 50°C/70°C close case temperature |EMI within EN55022B standard
Ease of use and fast design-in
MOSFET транзистор N-Channel, 700В, 950 мОм, 15.3 нКл, DPak (TO-252)
≤ 90°C on device, open case
≤ 50°C/70°C close case temperature |EMI within EN55022B standard
Ease of use and fast design-in
MOSFET транзистор N-Channel, 700В, 950 мОм, 15.3 нКл, DPak (TO-252)
Производитель
Infineon
Код товара производителя
IPD70R950CEAUMA1
Наименование класса номенклатуры
MOSFET транзистор
OPN
SP001466970
Основные характеристики
Полярность
N-Channel
V(br)dss
(напряжение сток-исток)
700 В
Rds(on)
(сопротивление канала)
950 мОм
Qg
(заряд затвора)
15,3 нКл
Тип монтажа
SMD/SMT
Диапазон рабочих температур
-40°C~150°C
Размеры
Корпус
DPak (TO-252)
Упаковка
Количество в упаковке
1
MOSFET транзистор IPD70R950CEAUMA1, производителя Infineon
Ключевые параметры компонента IPD70R950CEAUMA1: Полярность: N-Channel; V(br)dss: 700 В; Rds(on): 950 мОм; Qg: 15,3 нКл; Корпус: DPak (TO-252).
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.
Ключевые параметры компонента IPD70R950CEAUMA1: Полярность: N-Channel; V(br)dss: 700 В; Rds(on): 950 мОм; Qg: 15,3 нКл; Корпус: DPak (TO-252).
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.