- Артикул: 00366713
- Количество в упаковке: 100
IPD80R2K0P7ATMA1 Infineon
Краткое описание
Спецификация
Best-in-class FOM R DS(on) * E oss; reduced Q g, C iss and C oss
Best-in-class DPAK R DS(on) of 280mΩ
Best-in-class V (GS)th of 3V and smallest V (GS)th variation of ± 0.5V
Integrated Zener diode ESD protection up to Class 2 (HBM)
Best-in-class quality and reliability
Fully optimized portfolio
MOSFET транзистор N-Channel, 800В, 2000 мОм, 9 нКл, DPak (TO-252)
Best-in-class DPAK R DS(on) of 280mΩ
Best-in-class V (GS)th of 3V and smallest V (GS)th variation of ± 0.5V
Integrated Zener diode ESD protection up to Class 2 (HBM)
Best-in-class quality and reliability
Fully optimized portfolio
MOSFET транзистор N-Channel, 800В, 2000 мОм, 9 нКл, DPak (TO-252)
Производитель
Infineon
Код товара производителя
IPD80R2K0P7ATMA1
Наименование класса номенклатуры
MOSFET транзистор
OPN
SP001634906
Основные характеристики
Полярность
N-Channel
V(br)dss
(напряжение сток-исток)
800 В
Rds(on)
(сопротивление канала)
2000 мОм
Qg
(заряд затвора)
9 нКл
Тип монтажа
SMD/SMT
Диапазон рабочих температур
-55°C~150°C
Размеры
Корпус
DPak (TO-252)
Упаковка
Количество в упаковке
100
Документация и файлы для загрузки
раскрыть всеDatasheets (1)
DataSheet IPD80R2K0P7 Infineon
Английский язык
22.01.2022
pdf
1.19 МБ
IPD80R2K0P7ATMA1 Infineon
Аналоги
| WayOn | MOSFET транзистор WMO05N80M3; SJ-MOS M3 Полярность: N-Channel; V(br)dss: 800 В; Rds(on): 2,3 Ом; Qg: 10,7 нКл; Id: 4 А; Корпус: DPAK (TO-252) | В наличии | 106.75 руб./шт. |
|
WMO05N80M3 WayOn
Полная карточка товара
MOSFET транзистор WMO05N80M3; SJ-MOS M3 Полярность: N-Channel; V(br)dss: 800 В; Rds(on): 2,3 Ом; Qg: 10,7 нКл; Id: 4 А; Корпус: DPAK (TO-252)
Добавить в избранное
В наличии 195 Штук
Поштучная продажа
от 1 шт.
106.75 руб./шт.
|
|||
| WayOn | MOSFET транзистор WMO07N80M3; SJ-MOS M3 Полярность: N-Channel; V(br)dss: 800 В; Rds(on): 1,8 Ом; Qg: 6,8 нКл; Id: 6,8 А; Корпус: DPAK (TO-252) | Под заказ | 0 руб./шт. |
|
WMO07N80M3 WayOn
Полная карточка товара
MOSFET транзистор WMO07N80M3; SJ-MOS M3 Полярность: N-Channel; V(br)dss: 800 В; Rds(on): 1,8 Ом; Qg: 6,8 нКл; Id: 6,8 А; Корпус: DPAK (TO-252)
Добавить в избранное
Под заказ
Поштучная продажа
|
|||
MOSFET транзистор IPD80R2K0P7ATMA1, производителя Infineon
Ключевые параметры компонента IPD80R2K0P7ATMA1: Полярность: N-Channel; V(br)dss: 800 В; Rds(on): 2000 мОм; Qg: 9 нКл; Корпус: DPak (TO-252).
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.
Ключевые параметры компонента IPD80R2K0P7ATMA1: Полярность: N-Channel; V(br)dss: 800 В; Rds(on): 2000 мОм; Qg: 9 нКл; Корпус: DPak (TO-252).
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.