- Артикул: 00250862
- Количество в упаковке: 1
- Стандартная упаковка: Катушка
IPD90R1K2C3BTMA1 Infineon
Краткое описание
Спецификация
Low specific on-state resistance (R on*A)
Very low energy storage in output capacitance (E oss) @400V
Low gate charge (Q g)
Fieldproven CoolMOS™ quality
CoolMOS™ technology has been manufactured by Infineon since 1998
MOSFET транзистор N-Channel, 900В, 1200 мОм, 28 нКл, DPak (TO-252)
Very low energy storage in output capacitance (E oss) @400V
Low gate charge (Q g)
Fieldproven CoolMOS™ quality
CoolMOS™ technology has been manufactured by Infineon since 1998
MOSFET транзистор N-Channel, 900В, 1200 мОм, 28 нКл, DPak (TO-252)
Производитель
Infineon
Код товара производителя
IPD90R1K2C3BTMA1
Наименование класса номенклатуры
MOSFET транзистор
OPN
SP000413720
Основные характеристики
Полярность
N-Channel
V(br)dss
(напряжение сток-исток)
900 В
Rds(on)
(сопротивление канала)
1200 мОм
Qg
(заряд затвора)
28 нКл
Тип монтажа
SMD/SMT
Диапазон рабочих температур
-55°C~150°C
Размеры
Корпус
DPak (TO-252)
Сертификаты
Соответствие ROHS
да
Упаковка
Упаковка
(стандартная)
Катушка
Количество в упаковке
1
Документация и файлы для загрузки
раскрыть всеDatasheets (1)
DataSheet IPD90R1K2C3 Infineon
Английский язык
12.05.2020
pdf
363.54 КБ
IPD90R1K2C3BTMA1 Infineon
Аналоги
| WayOn | MOSFET транзистор WMO08N80M3; SJ-MOS M3 Полярность: N-Channel; V(br)dss: 800 В; Rds(on): 1,38 Ом; Qg: 13,3 нКл; Id: 7 А; Корпус: DPAK (TO-252) | В наличии | 98.58 руб./шт. |
|
WMO08N80M3 WayOn
Полная карточка товара
MOSFET транзистор WMO08N80M3; SJ-MOS M3 Полярность: N-Channel; V(br)dss: 800 В; Rds(on): 1,38 Ом; Qg: 13,3 нКл; Id: 7 А; Корпус: DPAK (TO-252)
Добавить в избранное
В наличии 194 Штуки
2500 Штук в Катушке
от 1 шт.
98.58 руб./шт.
|
|||
| WayOn | MOSFET транзистор WMO09N90C2; SJ-MOS C2 Полярность: N-Channel; V(br)dss: 900 В; Rds(on): 1,37 Ом; Qg: 18 нКл; Id: 8 А; Корпус: DPAK (TO-252) | Под заказ | 27.77 руб./шт. |
|
WMO09N90C2 WayOn
Полная карточка товара
MOSFET транзистор WMO09N90C2; SJ-MOS C2 Полярность: N-Channel; V(br)dss: 900 В; Rds(on): 1,37 Ом; Qg: 18 нКл; Id: 8 А; Корпус: DPAK (TO-252)
Добавить в избранное
Под заказ
100 Штук в Ленте
от 1 шт.
27.77 руб./шт.
|
|||
MOSFET транзистор IPD90R1K2C3BTMA1, производителя Infineon
Ключевые параметры компонента IPD90R1K2C3BTMA1: Полярность: N-Channel; V(br)dss: 900 В; Rds(on): 1200 мОм; Qg: 28 нКл; Корпус: DPak (TO-252).
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.
Ключевые параметры компонента IPD90R1K2C3BTMA1: Полярность: N-Channel; V(br)dss: 900 В; Rds(on): 1200 мОм; Qg: 28 нКл; Корпус: DPak (TO-252).
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.