- Артикул: 00403671
- Количество в упаковке: 5000
- Стандартная упаковка: Катушка
IPG20N10S4L22ATMA1 Infineon
Краткое описание
Спецификация
MOSFET транзистор N + N, 100В, 22 мОм, 27 нКл, SSO8 (PG-TDSON8)
Производитель
Infineon
Код товара производителя
IPG20N10S4L22ATMA1
Наименование класса номенклатуры
MOSFET транзистор
OPN
SP000866570
Основные характеристики
Полярность
N + N Channel
V(br)dss
(напряжение сток-исток)
100 В
Rds(on)
(сопротивление канала)
22 мОм
Qg
(заряд затвора)
27 нКл
Тип монтажа
SMD/SMT
Диапазон рабочих температур
-55°C~175°C
Размеры
Корпус
SSO8 (PG-TDSON8)
Упаковка
Упаковка
(стандартная)
Катушка
Количество в упаковке
5000
MOSFET транзистор IPG20N10S4L22ATMA1, производителя Infineon
Ключевые параметры компонента IPG20N10S4L22ATMA1: Полярность: N + N Channel; V(br)dss: 100 В; Rds(on): 22 мОм; Qg: 27 нКл; Корпус: SSO8 (PG-TDSON8).
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.
Ключевые параметры компонента IPG20N10S4L22ATMA1: Полярность: N + N Channel; V(br)dss: 100 В; Rds(on): 22 мОм; Qg: 27 нКл; Корпус: SSO8 (PG-TDSON8).
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.