Регистрация
Комплексные поставки электронных компонентов

IPG20N10S4L35ATMA1 Infineon

Краткое описание

Код товара у производителя: IPG20N10S4L35ATMA1 Производитель: Infineon OPN: SP000859022
IPG20N10S4L35ATMA1 Infineon
  • Артикул: 00381828
  • Количество в упаковке: 5000
  • Стандартная упаковка: Катушка

Спецификация

Dual N-channel Logic Level - Enhancement mode
AEC Q101 qualified
MSL1 up to 260°C peak reflow
175°C operating temperature
Green Product (RoHS compliant)
100% Avalanche tested

MOSFET транзистор N + N, 100В, 35 мОм, 13.4 нКл, SSO8 (PG-TDSON8)
Производитель Infineon
Код товара производителя IPG20N10S4L35ATMA1
Наименование класса номенклатуры MOSFET транзистор
OPN SP000859022
Основные характеристики
Полярность N + N
V(br)dss (напряжение сток-исток) 100 В
Rds(on) (сопротивление канала) 35 мОм
Qg (заряд затвора) 13,4 нКл
Тип монтажа SMD/SMT
Диапазон рабочих температур -55°C~175°C
Размеры
Корпус SSO8 (PG-TDSON8)
Упаковка
Упаковка (стандартная) Катушка
Количество в упаковке 5000
Под заказ
5000 Штук в Катушке

Цена последней продажи

Запросить условия поставки
MOSFET транзистор IPG20N10S4L35ATMA1, производителя Infineon
Ключевые параметры компонента IPG20N10S4L35ATMA1: Полярность: N + N; V(br)dss: 100 В; Rds(on): 35 мОм; Qg: 13,4 нКл; Корпус: SSO8 (PG-TDSON8).

Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.

Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.

Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.