- Артикул: 00383177
- Количество в упаковке: 500
- Стандартная упаковка: Пенал
IPI200N25N3GAKSA1 Infineon
Краткое описание
Спецификация
Industry’s lowest R DS(on)
Lowest Q g and Q gd
World’s lowest FOM RoHS comliant − halogen free MSL 1 rated
MOSFET транзистор N-Channel, 250В, 20 мОм, 64 нКл, I2PAK (ТО-262)
Lowest Q g and Q gd
World’s lowest FOM RoHS comliant − halogen free MSL 1 rated
MOSFET транзистор N-Channel, 250В, 20 мОм, 64 нКл, I2PAK (ТО-262)
Производитель
Infineon
Код товара производителя
IPI200N25N3GAKSA1
Наименование класса номенклатуры
MOSFET транзистор
OPN
SP000714308
Основные характеристики
Полярность
N-Channel
V(br)dss
(напряжение сток-исток)
250 В
Rds(on)
(сопротивление канала)
20 мОм
Qg
(заряд затвора)
64 нКл
Тип монтажа
SMD/SMT
Диапазон рабочих температур
-55°C~175°C
Размеры
Корпус
I2PAK (ТО-262)
Упаковка
Упаковка
(стандартная)
Пенал
Количество в упаковке
500
MOSFET транзистор IPI200N25N3GAKSA1, производителя Infineon
Ключевые параметры компонента IPI200N25N3GAKSA1: Полярность: N-Channel; V(br)dss: 250 В; Rds(on): 20 мОм; Qg: 64 нКл; Корпус: I2PAK (ТО-262).
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.
Ключевые параметры компонента IPI200N25N3GAKSA1: Полярность: N-Channel; V(br)dss: 250 В; Rds(on): 20 мОм; Qg: 64 нКл; Корпус: I2PAK (ТО-262).
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.