- Артикул: 00338392
- Количество в упаковке: 1
IPN65R1K5CEATMA1 Infineon
Краткое описание
Спецификация
Drop-in replacement for DPAK at lower cost
Space savings in designs with low power dissipation
Comparable thermal behavior to DPAK
MOSFET транзистор N-Channel, 650В, 1500 мОм, 10.5 нКл, SOT-223
Space savings in designs with low power dissipation
Comparable thermal behavior to DPAK
MOSFET транзистор N-Channel, 650В, 1500 мОм, 10.5 нКл, SOT-223
Производитель
Infineon
Код товара производителя
IPN65R1K5CEATMA1
Наименование класса номенклатуры
MOSFET транзистор
OPN
SP001461234
Основные характеристики
Полярность
N-Channel
V(br)dss
(напряжение сток-исток)
650 В
Rds(on)
(сопротивление канала)
1500 мОм
Qg
(заряд затвора)
10,5 нКл
Тип монтажа
SMD/SMT
Диапазон рабочих температур
-40°C~150°C
Размеры
Корпус
SOT-223
Упаковка
Количество в упаковке
1
MOSFET транзистор IPN65R1K5CEATMA1, производителя Infineon
Ключевые параметры компонента IPN65R1K5CEATMA1: Полярность: N-Channel; V(br)dss: 650 В; Rds(on): 1500 мОм; Qg: 10,5 нКл; Корпус: SOT-223.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.
Ключевые параметры компонента IPN65R1K5CEATMA1: Полярность: N-Channel; V(br)dss: 650 В; Rds(on): 1500 мОм; Qg: 10,5 нКл; Корпус: SOT-223.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.