- Артикул: 00381317
- Количество в упаковке: 50
- Стандартная упаковка: Россыпь
IPN70R900P7SATMA1 Infineon
Краткое описание
Спецификация
MOSFET транзистор IPN70R900P7S SP001657482 INF
MOSFET транзистор N-Channel, 700В, 900 мОм, 6.8 нКл, SOT-223
MOSFET транзистор N-Channel, 700В, 900 мОм, 6.8 нКл, SOT-223
Производитель
Infineon
Код товара производителя
IPN70R900P7SATMA1
Наименование класса номенклатуры
MOSFET транзистор
OPN
SP001657482
Основные характеристики
Полярность
N-Channel
Rds(on)
(сопротивление канала)
900 мОм
Тип монтажа
SMD/SMT
Диапазон рабочих температур
-40°C до +150°C
V(br)dss
(напряжение сток-исток)
700 В
Qg
(заряд затвора)
6.8 нКл
Размеры
Корпус
SOT-223
Сертификаты
Соответствие ROHS
Да
Упаковка
Упаковка
(стандартная)
Россыпь
Количество в упаковке
50
MOSFET транзистор IPN70R900P7SATMA1, производителя Infineon
Ключевые параметры компонента IPN70R900P7SATMA1: Полярность: N-Channel; Rds(on): 900 мОм; Корпус: SOT-223.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.
Ключевые параметры компонента IPN70R900P7SATMA1: Полярность: N-Channel; Rds(on): 900 мОм; Корпус: SOT-223.
Для оформления заказа запросите "Условия поставки" компонента.
Менеджер компании свяжется с Вами для формирования поставки с наших складов или прямой поставки от производителя Infineon в минимально возможные сроки.
Для разработчиков новой продукции возможен заказ образца.
Оформить заказ могут только зарегистрированные пользователи сайта Symmetron.ru. Мы работаем только с юридическими лицами.